HBM技术进展与市场地位 - 公司在高带宽内存领域已实现全面追赶，HBM3e产品目前正向所有AI计算客户出货 [1][3] - HBM4产品正在进行多重资质认证测试，首批结果预计将在12月初公布 [1][3] - 凭借1c DDR5前端技术、4nm逻辑基础晶粒和低功耗特性，公司在产品质量和规格方面保持领先优势，无需修改设计要求 [3] - 公司在高速>11 Gbps领域具有独特优势，并拥有从DRAM到代工再到封装的端到端解决方案能力 [3] 产能与市场策略 - 公司目前拥有50万片DRAM有效产能，远超竞争对手，总产能约65万片/月 [1][3] - DRAM订单履约率已降至客户需求的70%左右，可见度延续至2026年上半年 [3] - 公司采取理性策略，不与关键客户追逐市场热潮，而是根据真实需求实现可持续盈利 [3] - P4厂房设计产能超过10万片/月，为内存和代工业务提供了充足的扩张空间 [3] 盈利增长预期 - 公司有望重新掌控存储市场主导权，2026年盈利将较2025年暴增超过150% [1][3] - 预计2026年每股收益将达到14,464韩元，较当前市场共识预期9,800韩元高出近50% [5] - 市场对公司的积极进展准备不足，从相对盈利修正到技术领先地位的转变可能成为股价催化剂 [1][5] NAND闪存价格展望 - 预计4Q25E的NAND闪存总价格将环比上涨25-30%，其中3D NAND晶圆价格预计环比上涨75-80% [4] - 预计1Q26E的NAND闪存总价格将环比上涨20-25%，企业级SSD价格预计环比上涨20-25% [4] - 价格涨势预计持续至3Q26E，届时NAND闪存总价格预计环比上涨5-10% [4] 代工业务复苏 - 代工业务最坏时刻已过，利用率提升和先进制程性能改善将推动盈利复苏 [5] - 公司在2nm制程领域赢得多个订单，以客户为中心的文化转变已开始显现成效 [5] - 尽管产量仍需提升，且寻找特斯拉以外的大客户是优先任务，但整体前景明显改善 [5]