韩媒示警:韩国缺乏HBM混合键合核心专利
半导体芯闻·2025-11-26 18:49

文章核心观点 - 高频宽存储器先进封装的核心技术主要由韩国以外的公司掌握,韩国企业在HBM制造与堆栈方面表现优异,但在原材料、设备及核心专利方面依赖海外,面临潜在专利诉讼风险 [1] - 从专利品质与市场价值评估,美国Adeia和台积电是混合键合技术的领导者,台积电在高质量专利数量上排名第一 [1][2] - 随着2026年混合键合技术商业化,专利授权问题可能演变为诉讼 [2] HBM产业链技术格局 - 韩国企业在HBM制造与堆栈环节优势明显,但原材料与设备严重依赖海外公司 [1] - 韩国缺乏HBM相关核心专利,专利质量与影响力低于平均水平 [1][2] - 中国企业在存储器领域快速成长,如长江存储掌握Xtacking等核心技术 [2] 核心专利分布分析 - 美国Adeia拥有最具价值的混合键合专利,其核心技术来自Ziptronix的直接键合互连与低温直接键合专利 [1] - 台积电在A3等级以上高质量专利数量中排名第一,其SoIC技术具有高价值,三星排名第二,美光和IBM紧随其后 [2] - 相关专利在韩、美、日、欧、中多国注册,企业面临跨国专利诉讼风险 [2] 技术发展与风险展望 - 混合键合技术预计2026年开始商业化 [2] - 目前企业倾向通过不公开协商签订专利授权协议,但未来可能演变为诉讼 [2] - 韩国在核心设备与材料上依赖进口,对国内企业构成供应链风险 [2]