内存价格预测 - 预计2025年内存价格将大幅上涨50% [1] - 2025年第四季度价格可能上涨30%，2026年初可能再上涨20% [1] - 2026年内存价格预计上涨高达20% [1] 价格上涨驱动因素 - 人工智能扩张导致供应商转向生产更先进的高带宽内存，造成传统内存LPDDR4短缺 [1] - 现货价格出现失衡，DDR4内存交易价格达每千兆2.10美元，高于DDR5的1.50美元和HBM3E的1.70美元 [1] - 英伟达转向采用LPDDR的战略，使其成为大型智能手机制造商级别的客户，对供应链产生巨大需求冲击 [2] 行业厂商动态 - 供应商正争先恐后满足需求，预计到2026年DRAM产量将增长超过20% [2] - 三星电子可能重新分配其1C工艺产能，SK海力士正在提高产量并提升销售目标 [2] - 美光科技可能不会有所保留，中国最大DRAM供应商的业绩可能超出预期 [2] - SK海力士因DRAM和NAND价格上涨以及AI服务器HBM产品出货量增加，在2025年实现了有史以来最高的季度业绩 [2] - SK海力士在2025年凭借强劲HBM销售暂时超越三星，成为全球最大内存制造商 [3] 产品与技术发展 - SK海力士计划加速向10纳米1c DRAM制程过渡，以建立涵盖服务器、移动和图形应用的完整产品线 [3] - 旗舰产品HBM4计划于2025年第四季度开始出货，2026年DRAM和NAND闪存生产已得到充分的客户保障 [3] - 人工智能市场转向推理驱动型工作负载，预计将扩大对高性能DDR5和eSSD等全线内存产品的需求 [3] 对下游行业的影响 - 内存价格上涨主要影响智能手机制造商，智能手机出货量可能大幅增加超过25% [4] - 出货量增加可能会降低利润率，并影响高端和中端关键细分市场的增长 [4] - 智能手机和消费电子生态系统可能会感受到价格上涨带来的痛苦 [4]