公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 随着更小的工艺节点成本日益高昂，芯片制造工程师们正寻求其他方法来增加单个芯片上可集成的晶 体管数量。一个研究团队开发出一种方法，类似于传统的芯片堆叠技术，即在已完成的芯片上添加一 层微型开关，方法是将微型开关粘贴在电源和信号传输区域。 好的，以上是对麻省理工学院电子工程与计算机科学系、滑铁卢大学和三星电子所开展工作的粗略描 述。 传统的CMOS芯片制造方法是在超纯硅晶圆上涂覆并蚀刻不同材料的重复层。最底层，也就是麻省理 工学院所说的前端，包含芯片的晶体管（或在DRAM的情况下，包含电容）。 然而，这些器件需要通电才能工作，而且你还需要能够对构成逻辑单元、数据寄存器等的晶体管组进 行数据读写。这些器件由多层金属和绝缘体构成，也就是后端部分。 理论上，晶体管可以有多层，但遗憾的是，所用材料对制造过程中的热量非常敏感。任何常规工艺都 会在涂覆新层时破坏底层。因此，由麻省理工学院领导的研究团队另辟蹊径，找到了解决方案。 换句话说，他们在后端应用了一层新的晶体管层。但即使这样也不足以保护敏感的前端免受高温影 响。研究人员通过使用一层极薄（仅2纳米厚）的非晶氧化铟层来构建额 ...