日本自研2nm,首次亮相
半导体芯闻·2025-12-24 18:19
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ Rapidus 参加了 2025 年日本半导体展(2025 年 12 月 17 日至 19 日),并展示了在北海道千岁 市的研发制造中心 IIM 生产的 2nm GAA(全环栅极)晶体管和 600mm 方形重分布层 (RDL) 中 介层面板的原型。 2025年6月16日,Rapidus首次将晶圆装载到位于北海道千岁市的研发制造中心IIM的前端试验线 上。同月28日,首个2nm GAA晶体管原型完成并确认运行正常。这是IIM制造的实际原型首次在 展会上展出,展位吸引了众多参观者。 点这里加关注,锁定更多原创内容 *免责声明:文章内容系作者个人观点,半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。 10万亿,投向半导体 芯片巨头,市值大跌 黄仁勋:HBM是个技术奇迹 Jim Keller:RISC-V一定会胜出 全球市值最高的10家芯片公司 推荐阅读 除了展示实际原型外,展位还利用显示屏解释了2nm工艺和GAA结构的优势。与2008年左右的尖 端工艺40nm平面晶体管相比,2nm GAA晶体管的功耗可以降低约二十 ...