Rapidus 2nm GAA工艺及封装技术进展 - 公司在2025年日本半导体展上首次公开展示了其位于北海道千岁市IIM研发制造中心生产的2nm GAA晶体管原型和600mm方形RDL中介层面板原型[2] - 公司于2025年6月16日首次将晶圆装载到IIM的前端试验线，并于同月28日完成首个2nm GAA晶体管原型并确认运行正常[2] - 与约2008年的尖端40nm平面晶体管相比，2nm GAA晶体管的功耗可降低约二十分之一；与约2018年的尖端7nm FinFET相比，功耗可降低约四分之一[2] Rapidus 先进封装技术发展 - 公司正在开发用于芯片封装的600mm方形RDL中介层面板，使82mm见方的中介层数量从300mm晶圆上的4个增加到面板上的49个，增长超过十倍[2] - RDL中介层制造过程包括在玻璃载体上形成布线、嵌入桥接芯片、形成上层布线、连接支柱、树脂密封、抛光及安装逻辑与存储芯片等多道工序[3] - 公司计划于2027年开始大规模生产前端工艺，并于2027年下半年至2028年上半年开始大规模生产后端工艺[3]