公司技术突破 - 厦门火炬高新区企业瀚天天成成功开发出全球首款12英寸（300mm）高质量碳化硅外延晶圆 [2] - 相较于主流的6英寸（150mm）晶圆，12英寸晶圆单片可承载的芯片数量提升至4.4倍，相较于8英寸（200mm）晶圆提升至2.3倍 [2] - 产品关键性能指标优异：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96% [2] 产业影响与公司进展 - 该技术突破能显著提高下游功率器件的生产效率，并将大幅降低碳化硅芯片的单位制造成本 [2] - 此项突破为碳化硅产业规模化、低成本应用奠定了关键基础 [2] - 公司已启动12英寸碳化硅外延晶圆的批量供应筹备工作 [2]