文章核心观点 - 韩国半导体工程师学会发布《2026年半导体技术路线图》，预测未来15年硅基半导体技术将持续微缩，到2040年制程将突破至0.2纳米，进入埃米级时代，但实现1纳米以下目标仍面临诸多挑战 [2] 半导体技术发展路线图 - 路线图核心目标是提升半导体领域长期技术与产业竞争力、推动学术研究落地、完善人才培养体系 [2] - 路线图重点聚焦九大核心技术方向：半导体器件与制造工艺、人工智能半导体、光互连半导体、无线连接半导体传感器、有线连接半导体、功率集成电路模块（PI M）、芯片封装技术以及量子计算 [2] - 路线图预测到2040年，0.2纳米制程将采用互补场效应晶体管（CFET）的全新晶体管架构，并搭配单片式3D芯片设计方案 [3] 先进制程与制造工艺进展 - 三星已推出全球首款2纳米全环绕栅极（GAA）芯片Exynos 2600，代表了全球光刻制程最高水平 [2][3] - 三星已完成第二代2纳米GAA工艺节点的基础设计，并计划在两年内落地第三代2纳米GAA技术（SF2P+工艺） [3] - 三星已组建专项团队启动1纳米芯片研发，目标在2029年实现量产 [3] 存储芯片技术演进 - DRAM内存的电路制程将从目前的11纳米缩减至6纳米 [3] - 高带宽内存（HBM）将从现有的12层堆叠、2TB/s带宽，提升至30层堆叠、128TB/s带宽 [3] - 在NAND闪存领域，SK海力士已研发出321层堆叠的QLC技术，路线图预测未来将实现2000层堆叠的QLC NAND闪存 [4] 人工智能半导体算力发展 - 当前人工智能处理器算力最高可达10 TOPS（每秒万亿次运算） [4] - 路线图预计15年后，用于模型训练的AI芯片算力可达1000 TOPS，用于推理任务的芯片算力也将达到100 TOPS [4]