三星电子产能扩张计划 - 为满足AI带来的存储芯片需求增长，三星电子正计划扩大其位于平泽的半导体工厂产能 [1] - 公司已决定恢复平泽5号生产线（P5）的建设，并启动关键基础设施的招标程序，目标是在2028年投产，但鉴于存储芯片严重短缺，投产时间可能提前 [1] - 公司采取“快速通道”策略，将P5生产线的框架搭建、设备订购和安装工作同步进行，以加快批量生产进度 [1] - 平泽4号生产线（P4）的设备引进时间正在提前，其设备搬入和试运行目标时间已提前两到三个月 [2] - P4产能扩建投资将成为其10纳米第六代（1c）DRAM生产的核心，该DRAM将应用于第六代HBM（HBM4）芯片 [2] - 公司正迅速响应下一代精细工艺需求，已决定推出高数值孔径极紫外光刻设备用于量产 [2] - 主要设备合作伙伴表示，三星电子的订单量超出预期，交货期限非常紧迫 [3] SK海力士产能扩张计划 - SK海力士计划于明年5月完成M15X晶圆厂首个洁净室的建设并开始试生产，该工厂投资超过20万亿韩元 [3] - M15X工厂将生产HBM3E以及将于明年初开始量产的HBM4，并将引进用于生产HBM4E的10纳米级第六代DRAM生产线 [3] - 工厂首间洁净室预计于明年11月左右开始量产，第二间洁净室计划在明年年底前完成建设 [4] - M15X工厂预计将于2027年中期满负荷运转，届时基于12英寸晶圆的DRAM月产量预计约为5万片 [4] - 中长期计划着眼于龙仁半导体产业集群，一期晶圆厂总投资120万亿韩元，预计于2027年5月竣工 [6] - 龙仁一期晶圆厂满负荷运转后，每月将新增约35万片晶圆产能，使SK海力士的总产能显著提升至每月90万片 [6] HBM市场竞争格局 - 目前只有三家公司具备生产用于高性能AI芯片的HBM3E和HBM4的能力：SK海力士、三星电子和美光科技 [5] - SK海力士是首家开始量产第六代HBM（HBM4）的公司，计划于明年2月率先在全球范围内量产HBM4，随后提高HBM3E的产量 [5] - 金融投资行业预测，由于SK海力士率先实现HBM4量产并提高HBM3E产量，其HBM市场份额明年将超过50%，三星电子预计保持在30%左右，美光预计保持在20%左右 [7] - 随着英伟达下一代AI加速器Rubin将于明年第四季度发布，SK海力士的HBM4供应量极有可能大幅增长 [7] - 三星电子凭借其庞大的DRAM产能（月产能65万片晶圆）正在恢复HBM竞争力，其HBM月产能（17万片）已超过SK海力士（16万片） [6] - SK海力士计划通过先进技术和提升HBM3E产量，抢占先机量产HBM4，以摆脱三星电子的追赶 [6] 行业背景与公司业绩 - 全球AI普及带来存储芯片需求增长，电子和IT行业正面临存储芯片严重短缺，预计从明年开始供应短缺情况将进一步恶化 [1] - AI需要GPU处理海量数据，同时需要超高性能、低功耗的HBM来确保推理和计算能力 [5] - HBM市场现已进入第二轮，稳定的供应能力已成为超越技术竞争的核心竞争力 [7] - SK海力士今年第三季度营业利润达11.383万亿韩元，预计第四季度利润将达到15万亿韩元，预计明年全年营业利润将高达93万亿韩元 [7]