核心观点 - 2026年投资主线仍将聚焦AI领域，AI加速器需求将爆发式增长，关键供应链环节面临供应紧张 [2] - AI发展仍处于起点而非终点，市场会提前反映预期，预训练模型发展尚无可见天花板，推理端应用需求趋向无限 [2] - AI模型性能提升空间巨大，但存储器行业面临产能约束和价格修复的更长周期挑战 [3] 行业展望与投资主线 - 伯恩斯坦与大摩的核心结论高度一致，认为2026年市场主线仍将围绕AI展开 [2] - 市场通常会提前6-9个月反映预期 [2] - ChatGPT诞生仅三年，具备1GW算力规模的运营数据中心尚未落地，表明AI基础设施仍处早期阶段 [2] AI芯片与供应链 - 伯恩斯坦预计2026年博通与联发科的AI ASICs出货量将分别达到370万片和20万片，其中大部分为张量处理单元，并存在上行风险 [5] - 2026年人工智能加速器的需求将呈现爆发式增长 [2] - 关键供应链环节如晶圆级系统集成技术CoWoS、存储器、逻辑晶圆等均面临供应紧张的挑战，难以匹配市场需求 [2] - 伯恩斯坦预计，2026年全球CoWoS年产能将从2025年的72.4万片晶圆提升至125万片 [8] 存储器市场预测 - 大摩报告对DRAM和NAND价格做出了详细季度预测 [11] - DRAM价格预测： - PC DRAM：DDR4价格在1Q26E预计环比上涨65-70%，DDR5在1Q26E预计环比上涨50-55% [12] - Server DRAM：DDR4价格在1Q26E预计环比上涨65-70%，DDR5在1Q26E预计环比上涨60-65% [12] - Mobile DRAM：LPDDR5(x)价格在1Q26E预计环比上涨40-45% [12] - Graphics DRAM：GDDR6价格在1Q26E预计环比上涨40-45%，GDDR7在1Q26E预计环比上涨40-45% [12] - Consumer DRAM：DDR3价格在3Q25预计环比上涨50-60%，DDR4在3Q25预计环比上涨85-90% [12] - Total DRAM：传统DRAM价格在1Q26E预计环比上涨55-60%，HBM混合价格在4Q25E预计环比上涨50-55% [12] - NAND Flash价格预测： - eMMC/UFS价格在1Q26E预计环比上涨30-35% [12] - Enterprise SSD价格在1Q26E预计环比上涨33-38% [12] - Client SSD价格在1Q26E预计环比上涨40-45% [12] - 3D NAND晶圆价格在4Q25E预计环比上涨145-150% [12] - Total NAND Flash价格在1Q26E和4Q25E均预计环比上涨33-38% [12]