文章核心观点 - 由于人工智能基础设施需求旺盛，而供应增长受限，预计2026年全球DRAM和NAND闪存市场将持续供不应求，推动产品价格上涨 [1] 2026年内存市场整体供需与价格展望 - 行业预估显示，2026年DRAM位元供应量增幅约为15%至20%，需求增速预计为20%至25%，NAND闪存位元供应量增幅为13%至18%，需求增幅为18%至23%，需求增速均快于供应 [1] - 不含HBM的传统DRAM产品价格在2025年第四季度上涨了近50%或更高，此涨价势头预计将延续至2026年上半年，且下半年价格回落空间有限 [5][6] - 内存制造商暂停公开报价并持续上调产品价格，使非AI领域与消费级市场的采购商面临成本攀升与货源紧缺的双重难题 [6] 服务器与AI需求驱动 - 在云平台持续加大AI训练与推理业务投入的驱动下，预计2026年服务器领域的DRAM和NAND闪存消耗量将同比激增40%至50% [2] - AI推理业务的爆发正在重塑NAND闪存市场需求结构，2025年推理相关基础设施资本投入已超过训练业务，预计2026年将进一步增长，推动企业级SSD需求快速攀升 [7] - 云人工智能业务将成为2026年市场的核心增长驱动力，AI推理与边缘计算应用的加速落地将利好已布局相关产品线的厂商 [8] DRAM市场结构性变化 - 头部供应商正加速淘汰DDR4产线，将产能分配给更新型、利润率更高的产品，预计到2026年下半年，三星和SK海力士的DDR4晶圆开工占比将降至个位数低位 [3] - 市场预估2026年DDR4的供应量将持续比需求量短缺约10%，这将支撑其价格在至少2026年下半年之前保持高位运行 [3] - 随着HBM在高端产能中占比提升，供应压力加剧，SK海力士、美光及三星的HBM3E产能已基本被预订一空，HBM4的布局将进一步挤压标准DDR5的产能空间 [4] - 市场对128GB及更大容量DDR5内存模组，以及采用LPDDR5X规格的SOCAMM2内存配置的需求，预计将占据DRAM产能的更大份额 [6] NAND闪存市场动态 - 尽管铠侠与长江存储在建设新生产基地，但其新产能要到2026年第二季度才有可能实现可观产量贡献，短期内难以对市场供应产生实质性影响 [7] - 北美云服务运营商对128TB至256TB大容量SSD的需求日益旺盛，促使厂商从TLC技术转向QLC技术，以实现成本与存储密度的平衡 [7] - 云服务提供商的大规模产能预订推动NAND闪存价格大幅上涨，2025年第四季度NAND晶圆价格环比暴涨约95%至100% [7] 产业链厂商影响与策略 - 紧张的供应形势迫使内存模组厂商采取限量出货策略，并优先保障战略客户订单，原材料成本持续攀升正不断挤压厂商利润率 [8] - 威刚科技表示，2026年内存模组市场的两极分化态势或将加剧，部分厂商能获得稳定芯片供应，另一些则持续面临货源短缺 [8] - 主控芯片制造商群联电子透露，其锁定的部分2026年芯片供应仍无法满足市场需求，公司计划缩减零售市场出货量，将资源集中投向附加值更高的企业级客户 [8] 具体产品价格走势 - 三星64GB DDR5 RDIMM内存的合约价已从2025年第三季度的约265美元，上涨至第四季度的约450美元，到2026年第一季度或将逼近480美元 [4] - 2025年第四季度DDR4与DDR5的现货价差进一步拉大，印证了市场对DDR4老规格产品的需求仍在持续 [3] 产能与投资动态 - 中国台湾地区供应商南亚科技巩固了其全球最大DDR4供应商的地位，华邦电子计划将其高雄工厂的月产能从约1.4万片晶圆提升至2.4万至2.5万片 [3] - HBM4的生产不仅会消耗更多晶圆，还涉及更复杂的良率管控，这将进一步加剧内存市场的结构性供应压力 [6]