以下文章来源于芯思想 ，作者赵元闯 芯思想 . 中国半导体正能量传播平台。为中国半导体产业服务，我们都是中国半导体产业腾飞的见证人。新闻分 析，精彩评论，独家数据，为您定制信息，欢迎拍名片回复，和行业精英交流。 在全球半导体产业激烈竞争的背景下 , 长江存储成功突破技术与专利壁垒 , 全 球 首 创 基 于 晶 栈 ®Xtacking® 的 3D NAND 闪存创新架构 , 并实现产业化。通过架构创新 , 将存储阵列 (array) 晶圆与外围电路 (CMOS) 晶圆并行制备、独立优化，最终利用混合键合 (Hybrid Bonding) 技 术 实现电学互连。这一创新架构不仅实现了存储密度和工艺可扩展性的进一步突破，还显著提升了接 口传输速度。历经技术的持续迭代， 晶栈 ®Xtacking® 在阵列堆叠、源极引出、字线引出以及应 力解决方案等关键技术上取得了重大突破，有效缓解了 3D NAND 闪存在微缩过程中所面临的技术 挑战 [ 1] 。 2018 年长江存储首发全新的 晶栈 ®Xtacking® 架构，通过 CMOS 电路和存储阵列（ Array ） 混合键合，实现了不同工艺的解耦，释放 3D NAND ...