文章核心观点 半导体材料板块近期强势崛起，是需求爆发、技术突破与政策护航三大核心因素共振的结果，行业正从“单点突破”向“全面突围”跨越，进入黄金增长期，投资机会清晰显现 [4][5][33][34] 三重驱动逻辑 - 需求爆发：AI与扩产双轮驱动 [6][7] - AI算力革命显著增加需求，全球AI服务器2026年出货量预计突破300万台，HBM、Chiplet等技术使每片晶圆材料用量翻倍 [6] - 3nm及以下先进制程对抛光液、高端光刻胶、电子特气等高端材料需求激增 [6] - 全球晶圆厂扩产潮带来确定性产能增量，2024年全球投入运营48座晶圆厂，2025年有18座新建项目 [7] - 中国大陆是扩产主力，2024-2027年300mm（12英寸）晶圆厂将从29座增至71座，占全球比重近30% [7] - 技术突破：自主可控全面开花 [8][9] - 成熟制程领域，8英寸硅片、抛光液、靶材等产品国产化率已超40% [8] - 先进制程领域，12英寸硅片、ArF光刻胶等已实现小批量供货，正逐步向14nm及以下工艺进军 [8] - 第三代半导体材料开辟新赛道，碳化硅（SiC）在新能源汽车800V高压平台渗透率提升，氮化镓（GaN）在5G基站、快充领域需求旺盛，年复合增长率保持25%以上 [8] - 政策护航：反倾销打开替代窗口 [10] - 对日本进口二氯二氢硅的反倾销调查为国产替代提供“验证窗口期”，若裁定成立，国产份额有望快速提升 [10] - 国家大基金三期注册资金3440亿元，重点倾斜核心技术和关键零部件等“卡脖子”领域，政策红利持续释放 [10][11] 细分赛道竞争格局与国产化现状 - 整体特征：日本厂商垄断高端，国产企业从成熟制程突围，先进制程高端材料仍存在巨大缺口 [13][25] - 硅片 [14][15][18] - 占半导体材料市场份额37%，全球前四大厂商（日本信越化学、胜高、环球晶圆、Siltronic）市占率超80% [14] - 12英寸高端硅片垄断性更强，日本信越化学和胜高合计市占率超90% [15] - 国产化率呈结构性差异：8英寸硅片已规模化供应，国产化率较高；12英寸硅片整体国产化率仅10%，但2025年产能将快速释放 [18] - 光刻胶 [19] - 全球市场日本JSR、东京应化、信越化学、住友化学四大厂商合计占80%份额 [19] - 适配14-28nm制程的ArF光刻胶，前四大厂商市占率高达92%；适配7nm及以下制程的EUV光刻胶，日本三家企业全球市占率超95%，国内国产化率近乎为零 [19] - 国内产业：G/I线光刻胶国产化率超40%，KrF光刻胶约10%，ArF光刻胶不足1% [19] - 电子特气 [20] - 全球市场由日美企业主导，合计占82%份额 [20] - 国内整体国产化率约25%，三氟化氮、六氟化钨等大宗产品已国产化，但高端刻蚀气、掺杂气国产化率不足20% [20] - 先进制程所需7N级以上高纯度气体进口依存度达70%，其中日本产品占进口总量45% [20] - 其他关键赛道 [22][23][24] - 溅射靶材：日美垄断高端，国内中低端产品国产化率超60%，高端产品不足5% [22] - 光掩模：日本三大厂商合计占全球62%份额，EUV光掩模完全垄断，国内28nm及以下高端产品国产化率不足5% [23] - CMP材料：抛光液国产化率达30%，抛光垫仅20%，高端产品高度依赖进口 [24] - 国产化率总结 [26] - 高替代（30%-55%）：如8英寸硅片、抛光液、铜靶/铝靶、G/I线光刻胶，成熟制程为主，已形成规模效应 [26] - 中替代（10%-20%）：如12英寸硅片、电子特气（大宗）、KrF光刻胶、CMP抛光垫，部分企业进入量产验证阶段 [26] - 低替代（不足10%）：如EUV光刻胶、EUV光掩模、钽靶/钨靶、高端电子特气、ABF基板，先进制程核心材料，完全依赖进口，是攻坚重点 [26] 投资机会梳理 - 高端攻坚型：瞄准低替代核心环节 [29] - 国产化率不足10%，替代空间最大，是政策支持和技术突破核心方向 [29] - 具体包括：ArF光刻胶规模化量产和EUV光刻胶技术突破；钽靶、钨靶等先进制程专用靶材；六氟丁二烯、锗烷等高端电子特气 [29] - 政策受益型：反倾销直接利好赛道 [30] - 直接承接中日贸易政策调整红利，短期替代空间明确 [30] - 具体包括：以二氯二氢硅为代表的工艺化学品；光刻胶上游原料如树脂、光引发剂；受日本产能收缩影响的氟系电子特气 [30] - 需求爆发型：AI+扩产驱动增量赛道 [31] - 需求随AI技术迭代和晶圆厂扩产呈指数级增长，成长确定性高 [31] - 具体包括：12英寸硅片；第三代半导体材料碳化硅、氮化镓；CMP抛光液、抛光垫 [31]