无锡工厂工艺升级 - 核心生产基地无锡工厂已完成从1z到1a的DRAM工艺升级，1a为第四代10nm工艺，性能优于第三代1z工艺 [1] - 改造仅用两年时间完成，目前该厂基于12英寸晶圆的月产能为18万至19万片，其中约90%的产能已由1a工艺占据 [1] - 无锡工厂产量占公司DRAM总产量的30%至40%，其成功升级消除了因美国设备出口限制可能引发的生产和运营中断风险 [1] - 尽管1a DRAM需要EUV光刻技术且相关设备受美国限制无法进口，公司通过在韩国完成EUV关键工艺、在无锡完成剩余工序的替代方案实现了升级 [1][2] - 公司总裁强调中国工厂对全球存储器半导体供需至关重要，为确保其持续运营，将密切关注美国监管动态并与各国政府保持沟通 [2] - 自2006年投产以来，公司已在无锡工厂投资数万亿韩元 [2] 全球产能扩张与生产布局 - 公司计划将韩国龙仁新芯片工厂的首家工厂开业时间提前三个月至2027年2月，以应对激增的内存需求 [4] - 公司计划于下个月（2月）开始向韩国清州的新晶圆厂M15X部署硅晶圆，以生产高带宽存储器芯片 [4] - 龙仁晶圆厂是公司计划投资600万亿韩元（约4070亿美元）建设“半导体集群”的一部分，该集群最终将容纳四座晶圆厂 [4] - 未来的生产结构规划为：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产 [2] - 公司预计将加快其国内DRAM晶圆厂向相当于第六代1c工艺的升级，投资将集中在利川的M14和M16晶圆厂 [2] 市场需求与行业背景 - 全球内存芯片短缺推高了手机、个人电脑等消费电子产品的价格，并减缓了人工智能所需数据中心的建设 [4] - 市场正经历前所未有的繁荣，仅2023年第四季度，部分存储芯片产品价格就比上年同期上涨了300%以上，原因是人工智能基础设施需求激增导致产能紧张 [5] - 客户（包括超大规模数据中心）越来越多地寻求多年供应协议，而非过去常见的一年期合同，以争相锁定长期供应 [5] - 公司高管表示内存芯片市场正在发生结构性变化，尚未看到需求放缓的迹象，并称“看到了巨大的需求” [5] - 公司是英伟达的关键合作伙伴，必须支持人工智能基础设施的内存消耗 [4] - 公司每月都会审查其产品的生产计划，以确保能够为客户提供支持 [5] - 公司是全球第二大存储芯片制造商，其股价在过去一年中上涨了280% [5]