文章核心观点 - 西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料散热技术上取得重大突破 通过高能离子注入使晶体成核层表面变得平整光滑 将热阻降低至原来的三分之一 并显著提升了器件性能 为解决半导体材料高质量集成提供了可复制的中国范式[1][3] 技术突破详情 - 团队创新性地在第三代半导体芯片晶体上注入高能离子 让原本凹凸不平的晶体成核层表面变得平整光滑[3] - 该技术将半导体的热阻降低至原来的三分之一 解决了第三代乃至未来半导体芯片面临的共性散热难题[3] - 基于该创新技术制备的氮化镓微波功率器件 其单位面积功率较目前市面上最先进的同类型器件性能提升了30%到40%[5] 性能提升与应用前景 - 性能提升的器件应用于探测装备时 探测距离可以显著增加 应用于通信基站时 能实现更远的信号覆盖和更低的能耗[5] - 该技术未来应用于手机芯片后 可增强在偏远地区的信号接收能力 并可能延长续航时间[5] - 团队正在研究将金刚石这类散热性能更强的材料用于半导体 若成功攻关 半导体器件的功率处理能力有望再提升一个数量级 达到现在的十倍甚至更多[5] 学术认可与影响 - 相关研究成果发表在国际顶级期刊《自然·通讯》和《科学·进展》上[1] - 该论文入选《科学·进展》的封面论文之一[3]