文章核心观点 - 以色列GaN芯片公司VisIC正凭借其D³GaN（耗尽型）技术平台，挑战行业默认分工，意图进入电动汽车牵引逆变器这一核心市场，与已建立先发优势的碳化硅（SiC）展开正面竞争 [1] - 公司认为，在800V高压架构普及与AI数据中心供电需求爆发的双重驱动下，GaN不应局限于快充等应用，其在高功率、高可靠性场景下具备与SiC竞争甚至替代的潜力 [1][12] - VisIC正积极推进中国战略本地化，旨在构建覆盖研发、供应链到生态合作的完整本土化体系，以抓住全球最大电动车市场的机遇 [13][14][15] 技术优势与性能论证 - 技术原理：D-mode（耗尽型）GaN是GaN材料的天然形态，其技术路径可实现阈值电压与电流能力的解耦，从而达成高电流与高阈值电压的组合，这比E-mode（增强型）GaN在安全操作区间上更具优势 [2] - 可靠性安全：在极端高压下的百万次循环测试中，D³GaN方案在感性开关测试中表现出媲美甚至超越碳化硅的稳定性 [3] 在主动短路极限工况下，D³GaN能承受的短路峰值电流是额定运行电流的3.74倍，强于E-mode GaN的2.10倍，并接近IGBT的3.28倍与SiC的4.80倍 [5] - 效率表现：公司的GaN原型牵引逆变器在AVL完成的台架测试中，峰值效率可达99.67% 在400V母线、10kHz开关频率、9000rpm、55Nm的典型工况下，逆变器最高效率超过99.5% [6] - 损耗对比：在WITT工况的轻载区间对比中，GaN的总损耗大约比SiC好2.5倍 [9] - 热性能：针对GaN导热性的质疑，公司指出在同等导通电阻条件下，其热阻可比SiC降低约30%，这得益于GaN器件更大的尺寸和更宽的热扩散面积 [11] 市场定位与竞争格局 - 应用拓展：GaN的应用跨度将从低功率快充、数据中心供电、车载充电器，延伸至兆瓦级功率系统，例如未来需要2兆瓦高频功率的数据中心场景，公司认为这类场景SiC难以胜任 [12] - 与SiC关系：未来十年，GaN与SiC将长期并存 SiC因在400V平台经济性较差，故在800V市场先行 而GaN可从较低电压起步逐步过渡到800V 替代逻辑将从新项目、新平台、新架构开始，而非直接切入存量市场 [12] - 市场优先级：公司将电动车牵引逆变器视为首要市场，因其已有客户和供应链基础，且具股东责任 导入路径包括技术开发、第三方验证、样板车展示及与Tier1协作完成软件适配 相比之下，数据中心市场需要先找准细分赛道 [14] 中国本土化战略 - 战略核心：VisIC的中国战略不仅是销售产品，更是研发与供应链的迁移，旨在逐步建立覆盖合作伙伴、供应链乃至GaN研发环节的完整生态链 [14] - 合作规划：公司希望下一款技术合作样板车与中国车企共同打造 筛选合作伙伴的核心标准是工程能力与创新驱动力 [14] - 供应链建设：公司希望未来在中国建立完整的供应链闭环，覆盖晶圆代工、封装制造到驱动器、软件等多环节 过去五个月已三次来华，一半时间推动商业合作，另一半时间为供应链建设奔波 [15]