半导体散热与界面技术突破 - 西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队创新性地将芯片中粗糙的“岛状”连接界面转变为原子级平整的“薄膜”，解决了长期阻碍热量传递的关键瓶颈，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升[2] - 传统半导体芯片的晶体成核层表面凹凸不平，形成“热堵点”，严重影响散热，导致芯片性能下降甚至损坏，该问题自2014年以来一直是射频芯片功率提升的最大瓶颈[3] - 团队首创“离子注入诱导成核”技术，将原本随机的生长过程转为精准可控的均匀生长，新结构界面热阻仅为传统的三分之一[4] - 基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段输出功率密度分别达到42瓦/毫米和20瓦/毫米，将国际纪录提升了30%—40%，这意味着在同样芯片面积下，装备探测距离可显著增加，通信基站也能覆盖更远、更节能[4] 半导体核心装备国产化突破 - 中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平，标志着我国已全面掌握该设备的全链路研发技术[5] - 离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的关键设备，此次突破攻克了功率半导体制造链关键环节[5] - 长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约产业升级的瓶颈之一，此次成功研制打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断[5] - 该成果是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，并为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供技术支撑[5] 新材料与半导体产业展会信息 - “2026未来产业新材料博览会”将于2026年6月10日至12日在上海新国际博览中心（N1-N5馆）举行，预计有超过800家企业参展和200多场主题论坛[10][11] - 博览会涵盖多个前沿领域，包括金刚石+材料与器件、第三代/第四代/前沿半导体材料与器件、晶体材料生长工艺与设备、超精密加工装备与材料、AI芯片/量子科技/6G/服务器/脑机接口器件与材料等[12] - 展会同期设有多个专题展区，包括先进半导体展、热管理液冷板产业展、先进电池与能源材料展、未来智能终端展等[14]