核心观点 - 全球NAND闪存市场两大主导厂商三星电子和SK海力士计划在2026年继续减产，叠加AI服务器等领域需求激增，预计将导致NAND闪存供应紧张并推动价格全面上涨 [1][2] - 三星电子和SK海力士正大幅提升HBM（高带宽存储器）产能，以应对AI加速器带来的强劲需求，并在此领域展开激烈竞争 [4][6] NAND闪存市场：减产与供应紧张 - 主要厂商计划减产：三星电子预计2026年NAND闪存晶圆产量从2025年的490万片降至468万片，SK海力士预计从190万片降至170万片 [1] - 减产原因：NAND闪存盈利能力长期下滑，公司优先投资于利润更高的DRAM；同时，为满足AI数据中心需求，生产线正从TLC技术向QLC技术转换，此过程伴随自然减产 [2] - 供应紧张与价格上涨：AI兴起带动需求激增，主要供应商减产可能加剧供应短缺，影响范围从AI服务器扩展至移动设备和PC等领域；市场研究机构TrendForce预测，2026年第一季度NAND闪存合约价格将环比上涨33%至38% [1][2][3] - 需求驱动因素：英伟达下一代AI加速器Vera Rubin的SSD容量高达1152TB，是其现有产品Blackwell的10倍以上；预计该产品2026年出货3万台，2027年出货10万台，将分别在2027年和2028年创造3460万TB和1.152亿TB的新增NAND需求 [2] - 市场竞争格局变化：中国长江存储自2025年以来稳步提高NAND闪存产量，市场地位日益稳固；三星和SK海力士为应对竞争，调整产品组合，减少用于移动和PC的NAND供应以保障盈利，同时增加用于服务器和企业级应用的供应 [3] HBM市场：产能扩张与技术竞争 - 三星电子大幅扩张HBM产能：为满足英伟达等客户大量订单，三星计划到2026年将HBM产能同比提升50%；公司正内部审查扩大HBM生产的可能性，并投资约415亿美元在京畿道平泽市新建P5工厂，预计2028年投产 [4][5] - 三星HBM技术取得领先：三星第六代HBM（HBM4）在英伟达内部测试中表现超越SK海力士和美光等竞争对手；其单引脚数据传输速度达到11Gbps，超过了英伟达Rubin平台10Gbps的标准要求 [6] - 三星HBM出货量与市场份额预测：KB证券预测，到2026年底，三星HBM晶圆月产量将从目前的17万片增至25万片，增长超过47%；预计三星2026年HBM出货量将同比增长三倍，达到112亿Gb，其中HBM4约占一半；其HBM市场份额预计在2026年飙升至35%，较2025年预计的16%增长一倍以上 [6] - SK海力士的产能投资：SK海力士投资超过20万亿韩元建设M15X工厂，该工厂将运营两个洁净室，预计2027年中期全面投产后月产量约为5万片晶圆；公司还计划大幅增加对龙仁芯片集群和美国印第安纳州HBM封装工厂的基础设施投资 [7] - 通用芯片产能同步提升：三星和SK海力士也在提高从HBM到DDR等更通用芯片以及基于NAND闪存的SSD的产量，以满足全面需求 [4]