文章核心观点 - 高带宽闪存（HBF）作为一种结合了高带宽与大容量的下一代存储器技术，正受到行业关注，预计将快速商业化以应对AI数据需求的爆炸式增长，并有望在未来市场规模上超越高带宽存储器（HBM）[1][2][3] HBF技术概述与特点 - HBF是一种将多个3D NAND闪存垂直堆叠（类似于HBM堆叠DRAM）的存储器概念，通过硅通孔（TSV）连接，旨在同时实现高带宽和高容量[2] - HBF的带宽预计将超过1638 GB/s，远超当前基于NVMe PCIe 4.0的标准SSD存储带宽（最高7000 MB/s）[3] - HBF的容量可达512 GB，远高于HBM4的64 GB，但其写入次数有限制（约10万次），读取次数则无限制[3][4] - HBF读取速度慢于HBM，但容量约为HBM的10倍，适用于需要处理海量数据的AI推理等读取密集型任务[4] 技术发展进程与商业化预期 - 三星电子、SK海力士已与美国SanDisk公司签署了关于HBF标准化的谅解备忘录，并通过联盟进行标准化工作，旨在2027年前推出产品[3] - SK海力士计划在本月晚些时候发布并演示HBF的试用版本[3] - 三星电子和SanDisk计划在2025年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中[2] - HBF预计将在HBM6发布后开始得到广泛应用，并从未来2-3年起成为行业常见术语[4][5] - 到2038年左右，HBF市场有望超越HBM市场[1][5] 行业背景与技术驱动 - 仅基于DRAM的HBM容量已接近极限，难以满足爆炸式增长的AI数据需求，因此对高容量的新型NAND闪存解决方案（如HBF）的需求预计将迅速增长[1] - 主要存储器制造商（如三星电子、SK海力士）预计将基于其在HBM领域积累的设计和工艺技术，迅速转向HBF的开发[1] - HBM技术研发耗时超过10年，但HBF技术的研发速度预计会更快，因为HBM的工艺和设计经验已应用于HBF[1][2] 应用场景与系统架构 - 在AI推理中，GPU需要从HBM读取称为KV缓存的可变数据，而HBF有望被用于处理这项任务[4] - HBF预计将与HBM一同安装在GPU等人工智能加速器旁边[4] - 未来系统架构可能演进为“内存工厂”，即HBM7将实现直接从其后端（如连接的HBF）处理数据，缩短数据从存储到GPU的路径[5]