存储芯片行业价格动态 - 三星电子第一季度NAND闪存供应价格上调100%以上，远超市场预期[1][6] - 三星电子、SK海力士第一季度服务器DRAM价格已上涨60%至70%[1][7] - 2026年第一季度各品类存储价格环比涨幅超预期，预计全年全球存储供给整体维持偏紧状态[7] 价格上涨核心驱动因素 - 需求端：AI基础设施投资增加，推动企业级固态硬盘需求显著增长；移动设备和PC加快搭载高性能、大容量存储方案；“端侧AI”趋势进一步放大对高规格存储的需求[7] - 供给端：内存厂商集中精力生产HBM3E，导致服务器DRAM产能遭受挤压，供需鸿沟拉大；谷歌、微软拓展基于推理的AI服务业务，推动服务器通用DRAM需求激增；博通增加HBM3E订单，进一步加剧DRAM短缺[8] - 成本传导：内存半导体在智能手机的成本占比已从约15%提高至最近的20%以上[8] 行业周期与市场展望 - 人工智能浪潮驱动的存储芯片“超级周期”正全面到来[1] - 始于2025年下半年的“存储芯片超级周期”预计至少延续至2027年，真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现[8] - 存储市场已进入“超级牛市”阶段，当前行情甚至超越2018年的历史高点，供应商议价能力达到历史最高水平[8] - 市场研究机构预计2026年Q1存储价格将再涨40%～50%，2026年Q2继续上涨约20%[8] 市场表现与产业链 - 1月27日，存储芯片概念股全线大涨，东芯股份20%涨停，普冉股份、恒烁股份、炬光科技、芯源微等多股涨超10%[5] - 国内存储产业链多环节（存储原厂、存储模组/芯片公司、存储封测/代工等）预计将受益于缺货涨价浪潮[7] - 相关概念板块包括封装与测试、半导体材料、存储模组、半导体设备、分销渠道、芯片设计、晶圆制造等[2] 相关基金表现 - 嘉实上证科创板芯片ETF发起联接C近1年涨幅78.73%，成立来涨幅123.89%[3] - 西部利得CES芯片指数增强C近1年涨幅66.67%，成立来涨幅33.62%[3] - 华夏国证半导体芯片ETF联接C近1年涨幅59.85%，成立来涨幅71.29%[3] - 汇添富中证芯片产业指数增强发起式C近1年涨幅74.31%，成立来涨幅43.00%[3]