世界先进与台积电的氮化镓技术授权 - 世界先进与台积电签署高压（650V）与低压（80V）氮化镓（GaN）制程技术的授权协议 [2] - 授权旨在加速开发新一代氮化镓电源元件，应用于数据中心、车用电子、工业控制与能源管理等高效率电能转换领域 [2] - 相关开发作业预计于2026年初启动，并于2028年上半年量产 [2] 世界先进的技术布局与平台优势 - 通过授权，公司将扩展其硅基底功率氮化镓（GaN-on-Si）制程至高压应用领域，并提供完整的GaN-on-Si平台 [2] - 结合原有的新基底功率氮化镓（GaN-on-QST）制程平台，公司将成为全球唯一能同时提供硅基底功率及新基底功率两种不同基板氮化镓制程的晶圆制造服务公司 [2] - 该平台可支持自低压（小于200V）、高压（650V）乃至超高压（1200V）的完整产品解决方案 [2] - 公司正积极构建涵盖自15V至1200V的氮化镓制程技术，为客户提供更灵活且具竞争力的选择 [2] - 技术将在公司成熟的8吋晶圆生产平台上进行验证，以确保制程稳定性与高良率 [2] 公司产能与战略意义 - 世界先进目前拥有五座8吋晶圆厂，分别位于台湾与新加坡，2025年平均月产能约28.6万片八吋晶圆 [3] - 公司及子公司共有逾7000名员工 [3] - 此次技术授权展现了世界先进与台积电持续交流与合作的成果，并象征公司持续致力于推动完整氮化镓产品解决方案，强化在化合物半导体领域的策略布局 [3] - 授权将加速协助客户满足高效能电能转换应用领域的需求，推动半导体电源技术迈向新世代 [3] 行业背景与格罗方德的类似协议 - 传统硅基制程逐渐达其效能极限，氮化镓以其高效率、高功率密度与小型化特性，已成为新一代电源技术的关键材料 [2][4] - 氮化镓技术较于传统硅CMOS技术具备更卓越效能，能提供更高的效率、更高功率以及密集度，有效解决传统硅基技术在功率系统中的性能限制 [4] - 在去年十一月，晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries）也与台积电签署了一项技术授权协议，引进其650V和80V氮化镓（GaN）技术 [4] - 格罗方德计划将授权技术在其美国佛蒙特州伯灵顿的晶圆厂进行验证，开发工作预计于2026年初启动，并预计在2026年下半年开始投产 [4] - 格罗方德开发氮化镓产品的应用范围包括电动汽车、数据中心、可再生能源系统、快速充电电子产品等 [5]