文章核心观点 - 内存半导体市场将持续短缺，价格上涨压力大，主要受人工智能基础设施投资驱动的需求激增影响，尤其是高带宽存储器（HBM）供不应求 [1][2] 市场现状与价格趋势 - 2024年第四季度，DRAM平均售价较上一季度增长40%，NAND闪存平均售价增长20% [1] - 2025年第一季度，DRAM出货量预计较上一季度保持在个位数低段增长，NAND闪存保持在个位数中段增长，出货增长受限将带来进一步价格上涨压力 [1] - 内存供应扩张受限，短期内将持续，公司正与大型客户（如GPU、ASIC公司和超大规模数据中心运营商）签订多年期合同 [2] 高带宽存储器（HBM）业务 - HBM难以满足全球因人工智能基础设施投资而激增的需求 [1] - 公司设定目标，2025年HBM销量将比2024年增长三倍以上 [1] - 2024年HBM总供应量估计为40亿吉比特（Gb），2025年供应量预计将超过100亿吉比特（Gb） [1][2] - 尽管努力扩大供应，2025年对HBM的需求仍超过了公司产能 [3] - HBM4客户评估顺利，已进入质量测试最后阶段，计划从2025年2月开始量产，包括顶级的11.7 Gbps产品 [2] - 公司希望主要客户尽早敲定2027年及以后的HBM供货协议 [3] 公司产能与投资计划 - 计划2025年加快基于尖端工艺的DRAM和NAND产能扩张 [2] - 新增投资和产能转换将集中于1C DRAM和第九代NAND [2]