核心观点 - 人工智能数据中心需求激增导致存储半导体供需趋紧，推动三星电子与SK海力士季度业绩创下历史新高，并引发其在HBM及NAND闪存等高价值产品领域的激烈竞争 [1][2][5] 公司业绩表现 - 三星电子2025年第四季度业绩：营收93.8万亿韩元，同比增长23.7%；营业利润20.1万亿韩元，同比增长209.2% [1] - 三星电子半导体部门业绩：营收44万亿韩元，同比增长46%；营业利润16.4万亿韩元，同比大幅飙升465.5% [1] - SK海力士2025年第四季度业绩：营收32.8267万亿韩元，同比增长66.1%；营业利润19.1696万亿韩元，同比增长137.2% [1] 业绩驱动因素：供需失衡与价格变动 - 需求侧：谷歌、微软、亚马逊、元宇宙等北美头部科技企业持续扩建AI数据中心，直接推动存储半导体需求激增 [2] - 供给侧：受2022年存储市场下行周期影响，存储半导体厂商的产能供给能力仍处于受限状态 [2] - DRAM市场：两家公司的DRAM位元增长率（出货量增长率）环比仅维持在10%出头的个位数水平，但平均售价涨幅达到25%至近40% [2] - NAND闪存市场：SK海力士的位元增长率仅约10%，三星电子的位元出货量甚至略有下滑，但产品价格大幅上涨（涨幅区间为25%~31%）有力支撑了业绩 [2] 高带宽内存市场动态 - 供应短缺：AMD下一代AI芯片“MI455”将搭载432GB的HBM4，容量较英伟达同类产品高出50%，加剧了HBM4供应缺口；谷歌TPU和微软AI芯片“Maia 200”采用HBM3E，共同推动HBM价格走高 [3] - 产能紧张：三星电子与SK海力士管理层均表示，尽管已全力扩大HBM产能，但客户需求仍远超当前供应能力 [3] - 竞争加剧：SK海力士称现有产能无法满足需求，预计部分竞争对手将借此切入市场；三星电子则称其HBM4产品已获客户反馈，证实具备差异化性能竞争力，样品正推进客户评估 [3] - 未来布局：两家公司预计将同步启动HBM4的量产供应，并围绕市场份额展开激烈争夺；同时，针对下一代产品HBM4E以及定制化HBM的战略竞争也已提前升温 [3][4] NAND闪存市场趋势 - 战略地位转变：随着AI应用从训练转向推理，NAND闪存在英伟达下一代AI基础设施蓝图中占据全新战略地位，成为支撑AI推理负载不可或缺的核心组件，从辅助外设转变为系统核心部分 [5] - 出口数据：2026年1月，韩国NAND闪存出口额达13亿美元，较2025年同期增长108%，出口量同比上升28% [6] - 供应受限：三星与SK海力士计划小幅减产或维持现有晶圆产出规模，同时将资本支出转向HBM等利润更高的产品；行业向QLC工艺转型过程中生产效率下降，进一步收紧供需平衡 [6] - 产品结构优化：三星与SK海力士缩减面向移动终端及个人电脑的NAND闪存产品占比，将资源集中投向服务器与企业级固态硬盘领域，旨在提高技术壁垒，避免恶性价格竞争 [7] - 市场预测：随着NAND闪存及企业级固态硬盘在AI场景中战略地位提升，其有望成为继DRAM之后，韩国存储巨头新的核心利润增长引擎 [7]