三星、SK 海力士扩大NAND产能!
国芯网·2026-02-02 19:34

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、 放眼世界 ! 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 2月2日消息,据韩媒报道,三星电子和 SK 海力士的"最尖端" NAND 投资终于要全面启动了。 据了解,业内正在讨论的转换投资规模约为月产 4-5 万片晶圆。按照设备导入节奏,V9 NAND 预计从明年起正式进入量产加速阶段。 半导体业内人士说,三星原本打算在第 1 季度启动西安 X2 的 V9 转换,但日程推迟到第 2 季度。同时,平泽第 1 园区(P1)也在准备相关投资,因此明 年 V9 产品的生产占比可能会明显提高。 SK 海力士方面同样在推进先进 NAND 扩产。SK 海力士计划在今年第 2 季度启动 321 层第 9 代 NAND 的转换投资,目标是在清州 M15 确保月产约 3 万 片晶圆的 V9 产能。与目前约 2 万片晶圆的水平相比,这次扩产力度相当大。 业内人士认为,三星与 SK 海力士都在为先进 NAND 需求持续增长做准备。过去两家公司的设备投资几乎全部集中在 DRAM,但现在 NAND 市场也正在 快速出现供应紧张迹象。 *******END ...

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