文章核心观点 - 三星电子与SK海力士计划在2024年第二季度全面启动最尖端NAND闪存的产能转换与扩张投资，以应对由AI产业推动的存储需求增长和市场供应紧张迹象 [2][4][5] 三星电子NAND投资计划 - 公司计划在2024年第二季度推进最尖端NAND的“转换投资”，重点扩大其280层V9 NAND的产能 [4] - 公司已于2024年9月启动V9 NAND量产，但当前产能较小，月产仅约15000片晶圆 [4] - 产能扩张将重点放在中国西安的X2产线，该产线目前主要生产第6至7代旧款NAND [4] - 正在讨论的转换投资规模约为月产4-5万片晶圆，预计从2025年起正式进入量产加速阶段 [4] - 原计划第一季度启动西安X2的V9转换已推迟至第二季度，同时平泽第1园区（P1）也在准备相关投资，预计明年V9产品生产占比将明显提高 [4] SK海力士NAND投资计划 - 公司计划在2024年第二季度启动321层第9代NAND的转换投资 [5] - 投资目标是在清州M15工厂确保月产约30000片晶圆的V9产能 [5] - 与当前约20000片晶圆的月产水平相比，此次扩产力度相当大 [5] 行业背景与动因 - 过去长期资源优先投向DRAM导致尖端NAND投资计划一再推迟 [4] - AI产业正推动存储需求快速上升 [4] - 过去两家公司的设备投资几乎全部集中在DRAM，但现在NAND市场也正在快速出现供应紧张迹象 [5] - 两家公司都在为先进NAND需求持续增长做准备 [5]