文章核心观点 - 三星电子和SK海力士已宣布量产第六代高带宽存储器HBM4，但决定推迟引入混合键合技术，转而继续使用现有的热压键合机进行生产，混合键合技术的全面应用预计将推迟至下一代HBM4E产品，且初期仅用于部分高端产品线[1][2] HBM4技术路径与生产决策 - 三星电子和SK海力士计划通过调整堆叠高度和缩小微凸点间距至约10微米，继续沿用基于微凸点的TC键合机来量产HBM4，包括16层产品[1] - 公司已向客户寄送了采用混合键合技术的HBM4样品，但大规模生产将依赖TC键合机，混合键合计划在HBM4E阶段部分采用[1][2] 混合键合技术的现状与挑战 - 混合键合机被视为下一代HBM市场的颠覆性技术，无需凸点即可连接芯片，是制造20层或更高层数堆叠芯片的必备设备，能减少信号损耗提升性能[1] - 该技术尚未实现大规模生产和稳定良率，其价格是现有TC键合机的两倍多，且良率低于50%，因此公司选择优先发挥现有TC键合机的性能[2] - 行业消息指出，混合键合技术的稳定性目前不及TC键合机，在价格和良率方面仍有改进空间，无法用于大规模生产[2] 性能目标与行业动态 - HBM4的通道数比上一代翻倍，接口宽度增加，每引脚信号传输速度提升，NVIDIA要求其性能达到每引脚11.7 Gb/s[2] - 通过将微凸点间距缩小至约10微米的设计，现有TC键合技术仍可达到HBM4的目标性能要求[2] - 市场研究显示，美光公司原计划推出的无助焊剂键合机已推迟至2028年，原因同样是现有TC键合机可满足行业标准，且新设备成本高、良率低[2]