文章核心观点 - 三星电子和SK海力士在英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”所需的高带宽内存HBM4供应中占据主导地位，但关于两者具体的供应份额和量产时间领先地位，行业内外存在不同说法[1][2] - 随着HBM4需求增长，行业关注点正从争夺“第一”转向确保长期、稳定的供应能力，两家公司均在积极进行产能投资和扩张[2][3] 根据相关目录分别进行总结 HBM4的市场需求与产品背景 - 英伟达预计在2026年3月的GTC技术大会上发布下一代AI加速器“Vera Rubin”，该系统将CPU与GPU集成，推理性能显著超越现有的Blackwell产品[1] - “Vera Rubin”旨在运行大规模AI模型，因此对超高带宽内存HBM4几乎是必需品[1] 主要供应商的进展与竞争态势 - 三星电子：计划本月（报道发布当月）率先向客户交付HBM4样品，并强调其产品拥有业界领先的11.7Gbps运行速度和质量验证[1] - SK海力士：正按照与客户商定的计划准备HBM4量产，在去年第四季度财报电话会议上表示正根据客户需求推进[2] - 关于谁在HBM4供应中领先，各方存在争论，业界关注点转向谁能率先完成量产准备工作[2] 供应份额的不同说法 - 一种说法是，英伟达在去年底初步分配了HBM4供应量：SK海力士约占50%，三星电子约占20%，美光约占20%[2] - 另一种来自半导体分析公司SemiAnalysis的报告指出，SK海力士的HBM4供应份额约为70%，三星电子约为30%[2] - 对于美光的角色，存在两种观点：一种认为其在HBM4供应链中的份额正在减弱，另一种则认为这种可能性尚未完全排除[2] 产能扩张与投资计划 - 三星电子：计划在其平泽园区的P4厂房建立一条10纳米第六代（1c）DRAM生产线，目标在明年第一季度全面投产，旨在确保每月10万至12万片晶圆的产能，以提前应对HBM4需求增长[3] - SK海力士：正在加速量产将用于HBM4芯片的10纳米第五代（1b）DRAM，并商讨分阶段扩大产能的计划，包括扩建清州M15x晶圆厂和对M16晶圆厂进行工艺改造[3] - SK海力士计划在年底前确保M15x晶圆厂每月新增约4万片晶圆的产能[3]