文章核心观点 - 人工智能数据中心对高带宽内存的庞大需求正导致DRAM市场出现严重短缺和价格飙升，这种供需失衡源于DRAM行业固有的强周期性与AI基础设施超大规模建设的碰撞，预计新增产能和技术进步需要数年才能匹配需求，且价格可能长期保持高位 [2][8][17] 行业现状与供需矛盾 - 本季度DRAM价格已上涨80%至90%，主要受AI数据中心GPU对HBM的旺盛需求驱动，这挤占了其他用途的内存供应 [2] - DRAM行业具有强周期性，新建晶圆厂成本高达150亿美元甚至更多，且建设周期长达18个月以上，导致产能调整严重滞后于需求变化 [8] - 行业在2022-2023年经历衰退后，公司对扩大产能持谨慎态度，2024年和2025年大部分时间几乎没有新产能投资 [9] - 当前AI数据中心建设热潮与前期投资匮乏形成尖锐矛盾，全球有近2000个新建数据中心在规划或建设中，若全部建成将令全球数据中心供应量增长20% [12] 高带宽内存的技术与市场 - HBM是一种3D堆叠DRAM技术，通过堆叠多达12个超薄DRAM芯片并与GPU紧密集成，旨在突破AI计算中的“内存墙”瓶颈 [5][6] - HBM成本通常是其他类型内存的三倍，占GPU总成本的50%甚至更多 [6] - HBM在DRAM制造商收入中占比迅速提升，以美光为例，其HBM及云相关内存收入占比将从2023年的17%增至2025年的近50% [14] - HBM市场总规模预计将从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元，这一数字将超过2024年整个DRAM市场的规模 [14] 主要厂商动态与市场影响 - 英伟达是AI数据中心热潮的最大受益者，其数据中心业务收入从2019年第四季度的不足10亿美元飙升至2025财年第四季度的510亿美元 [12] - 最新的AI服务器GPU（如英伟达B300、AMD MI350）普遍使用8个或12个芯片的HBM，进一步推高HBM需求 [12] - 主要DRAM制造商（美光、三星、SK海力士）正在建设新晶圆厂，但投产时间多在2027年及以后，短期内无法缓解供应紧张 [17] - 行业预计到2028年之前供应紧张局面都不会好转 [17] 未来供应、技术与价格展望 - 增加DRAM供应的途径包括现有领先企业逐步扩产、先进封装工艺良率提升以及供应链多元化，新建晶圆厂作用相对较慢 [17] - 未来HBM技术（如HBM4）可能堆叠多达16个甚至20个DRAM芯片，这将进一步增加对硅片（DRAM芯片）的消耗 [18] - 即便新工厂投产，由于计算需求旺盛，DRAM价格下降的速度和幅度预计将远低于其上涨过程，价格可能长期居高不下 [18]