SK海力士,闪存黑科技
半导体芯闻·2026-02-11 18:59

SK海力士的AIP技术创新 - 公司正在开发名为“AIP(All-In-Plug)”的创新技术,旨在通过一次性完成传统上需要三个步骤的核心工艺,以制造下一代高密度NAND闪存,从而显著降低制造成本 [1] - AIP技术针对高深宽比接触(HARC)蚀刻工艺,该工艺是NAND闪存制造的关键,传统方法因技术难度高,需将300层NAND闪存分为多个步骤(如100+100+100层)进行蚀刻和键合,导致成本高且生产效率低 [1][2] - 公司计划将AIP技术应用于单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存进行HARC蚀刻,若成功应用于量产,预计从下一代NAND闪存(例如V11)开始,HARC工艺的数量和成本将显著降低 [2] 全球NAND闪存短缺现状与成因 - 全球NAND闪存短缺已从供应链问题演变为高性能计算和人工智能工作负载企业面临的实质性运营风险,其范围和影响与以往不同 [3] - 短缺由结构性因素导致:过去几年NAND闪存制造商在经历长期供应过剩后,奉行资本纪律并将产能转向高利润产品,而人工智能基础设施的需求增长速度超过了新增产能的经济效益,导致供应环境结构性趋紧、交货周期延长及价格持续波动 [3][4] - 人工智能应用已进入工业规模,训练大型语言模型、运行推荐系统及实时推理流程产生海量数据,对存储性能要求极高,其存储需求增速超过了制造商的响应速度 [4] 短缺对企业的财务与运营影响 - 短缺导致企业面临严重财务影响:基于固态硬盘的全闪存系统是高性能工作负载的默认选择,当SSD稀缺或价格高昂时,企业要么支付过高存储费用,要么接受昂贵的GPU因存储吞吐量和容量不足而闲置 [5] - 传统的应对措施如数据压缩和去重技术,对现代人工智能和高性能计算的数据流(如已高度优化的训练数据、传感器数据流)效果有限 [5] - 在竞争激烈的AI市场,推迟新部署或缩减项目规模以等待市场好转的策略不再可行,这会带来落后于竞争对手的风险 [5] 应对短缺的可持续存储策略 - 更可持续的解决方案需要重新审视将性能完全依赖闪存存储的偏见,许多数据密集型工作负载可通过智能数据放置获益,而非一味部署固态硬盘 [6] - 现代机械硬盘结合先进的缓存和数据分层技术,通过将热数据(如活跃训练集、检查点)放置在高性能层,冷数据保留在磁盘上,能在不牺牲吞吐量的前提下,显著降低对稀缺NAND闪存的依赖 [6] - 采用与存储介质无关的基础设施设计,将性能与任何单一存储介质类型解耦,可以使系统适应供应波动、控制成本,并在市场波动时保持可预测运行,架构弹性将成为竞争优势 [7][8]