台积电退出GaN代工的决定与影响 - 台积电计划在2027年7月31日彻底退出GaN代工服务，其曾是全球唯一能提供高低压双衬底GaN解决方案的晶圆代工厂[2] - 台积电退出GaN业务是因为其业务体量与利润水平无法与服务于AI处理器的核心业务相提并论，计划将现有GaN产线改造为先进封装基地以服务英伟达等客户[12] - 台积电通过技术授权扶持继任者，其定义的工艺标准依然是行业准则，并掌握话语权和专利费分成[4] 二线晶圆厂与IDM厂商承接产能 - 格芯（GF）与台积电签署GaN技术授权协议，覆盖650V与80V工艺，目标在2026年底前进入可用阶段，并将佛蒙特州工厂定位为美国战略性GaN生产中心，获得超8000万美元联邦资金支持[3] - 台积电子公司世界先进（VIS）与台积电签署GaN技术授权协议，计划利用成熟8英寸产能承接中低毛利订单，成为全球GaN代工新重心[3] - 罗姆（ROHM）从台积电购买技术许可转向自主生产，将在日本滨松建立新的8英寸GaN生产线，同时可将部分产能外包至VIS以平衡风险[7] - 力积电（PSMC）与纳微半导体（Navitas）达成量产合作，规划200mm GaN-on-Si生产，100V产品预计2026年上半年量产，650V产品将在未来12-24个月内从台积电转移至PSMC[4] - 德国X-Fab于2025年9月正式推出GaN-on-Si晶圆代工服务，补齐欧洲在功率GaN代工侧的能力[5] GaN市场需求与增长驱动力 - Yole预计到2030年GaN市场规模将达到约30亿美元，从2024年到2030年复合年增长率（CAGR）为42%[10] - 消费与移动领域预计到2030年仍将贡献50%以上的市场份额，但更多体现规模效应[13] - 汽车与出行领域在2024-2030年期间预计将实现73%的复合年增长率，到2030年预计占据约19%的市场份额[13] - 数据中心与电信领域到2030年预计贡献约13%的GaN市场规模，其技术外溢效应远高于表观占比[13] 中国大陆GaN制造版图 - 英诺赛科拥有全球最大规模的8英寸GaN-on-Si IDM产能，其产品已完成谷歌AI硬件平台的关键设计导入，并与英伟达合作推动800V直流电源架构在AI数据中心落地[16] - 英诺赛科与意法半导体开展技术开发与制造合作，并与安森美签署战略备忘录，结合双方在工艺与系统集成上的能力[16] - 三安集成是国内最早提供GaN代工服务的厂商之一，工艺覆盖射频与功率两大方向[17] - 芯联集成在车规级GaN上投入突出，正承接原本依赖台积电进行车规级制造的设计公司需求[17] - 赛微电子（通过聚能晶源）在GaN外延与代工领域形成较高技术壁垒，重点覆盖高端工业与通信应用[17] - 华润微拥有成熟的6英寸和正在爬坡的8英寸线，主打中低压消费电子市场[17] 行业格局重塑与未来趋势 - GaN制造正在去中心化，从依赖单一顶级代工厂转向由GF、VIS、PSMC、X-Fab及大陆多家厂商并行承载[5][19] - 产业主导权重新分配，IDM厂商重新掌控核心工艺与关键产能，Fabless厂商获得更具弹性的制造选择，特色工艺晶圆厂找到明确的价值锚点[19] - GaN应用结构发生质变，从消费级快充迈入数据中心、车载电源与能源基础设施等高可靠、高责任的系统级场景[13][19] - 台积电的退出标志着GaN完成早期技术验证，进入产业成熟期[19]