行业战略转向：加速产能扩张以把握超级周期 - 韩国半导体企业正加速推进在建晶圆厂的提前投产，以把握存储芯片“超级周期”带来的红利，战略从去年下半年的谨慎控制产能扩张转向主动出击 [2] - 此举旨在应对获得国家支持的中国竞争对手可能抢占市场缺口，同时留住现有客户并满足新增需求 [2] 韩国龙头厂商具体扩产计划 - SK海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂，原计划2027年5月竣工，现计划最早于2027年2-3月提前试产 [2] - 龙仁一期厂房为三层建筑，规模相当于清州厂区的6座M15X晶圆厂，将主要生产AI时代需求激增的高性能DRAM（如DDR5）与HBM [2] - 三星电子平泽P4晶圆厂原计划2027年第一季度竣工，工期有望提前至2026年第四季度，整体缩短约三个月 [3] - 三星可能在P4厂新建一条10纳米级第六代（1c）DRAM生产线，专门用于HBM生产，新线月产能预计达10万至12万片晶圆 [3] 产能与需求数据 - 市场调研机构Omdia数据显示，三星年度DRAM产能（以晶圆计）预计从2024年的747万片提升至2025年的817.5万片 [3] - 同期SK海力士产能预计从511.5万片扩至639万片 [3] - 花旗银行分析认为，2025年DRAM供应量将增长17.5%，需求预计增长20.1%；NAND Flash供应量增长16.5%，需求增长21.4%，显示需求持续超过供给 [5] - 截至2025年2月，存储芯片的紧缺程度较2024年第四季度进一步加剧，主要客户的需求满足率仅为60% [4] AI驱动需求结构变化与长期展望 - AI数据中心扩张带动服务器用高性能DRAM需求暴增，产能向高价值HBM倾斜导致通用型DRAM产出相对减少 [4] - AI数据中心企业已消化三星70%的存储芯片出货量 [4] - 晨星、摩根大通等主流研究机构均预测存储芯片短缺将持续至2027年 [5] - DS证券补充指出，若2027年供给增速仍维持在1%左右，本轮DRAM周期至少将延续到2027年，以服务器为核心的DRAM价格涨势预计将持续至2026年第三季度 [5] 厂商资本支出与应对策略 - 三星与SK海力士近期均宣布2025年将增加资本支出以应对存储芯片短缺 [5] - 三星电子存储业务总裁表示，鉴于AI相关需求有望持续，公司计划在2026年大幅扩大设备投资，但考虑到今明两年产能扩张有限，供应缺口可能进一步扩大 [5] - 提前试产的目的被解释为尽快稳定量产体系，并向客户释放能够稳定供货的信号 [5] 供应链紧张现状与行业影响 - 群联电子首席执行官表示，2025年的闪存短缺危机可能会让大量中小厂商快速出局 [5] - 该首席执行官透露，在中国见到手机与车载领域头部企业向供应商跪求闪存芯片，并断言小型企业很可能完全拿不到闪存货源 [6] - 该首席执行官预计，AI数据中心正在吞噬全球内存与存储供应，可能导致智能手机产量削减1亿至2.5亿台，PC与电视出货量也会因供应受限而下滑 [6] - 全球三大NAND晶圆厂中，已有一家要求客户预付三年货款，这在行业内前所未闻 [6] 价格暴涨与未来预期 - 广泛用于消费电子与车载领域的8GB eMMC芯片，价格从2024年的1.5美元涨到2025年的20美元，涨幅高达13倍 [7] - 即便价格暴涨，货源依然极度紧缺，群联电子客户的订单满足率已不足30% [7] - 随着AI市场从模型训练转向推理部署，AI应用爆发式增长需要大量存储来承载数据，这可能导致数据中心以外几乎分不到任何闪存芯片 [7] - 西部数据称2025年硬盘已全面缺货，2027、2028年也已提前短缺 [7]