如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近日，北京大学在非易失性存储器领域取得突破性进展。电子学院邱晨光-彭练矛团队首次提出"纳 米栅超低功耗铁电晶体管"。团队通过优化铁电晶体管器件结构，引入纳米栅极电场汇聚增强效 应，研制出可在0.6V超低电压下工作的铁电晶体管，能耗降低至0.45fJ/μm，并且将物理栅长缩减 到1纳米极限，为国际上迄今尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管，为构建高性能亚1纳米节点芯片 和 高 算 力 AI 芯 片 架 构 提 供 了 更 具 潜 力 的 新 物 理 机 制 存 储 器 件 。 该 突 破 性 成 果 以 "Nanogate ferroelectric transistors with ultralow operation voltage of 0.6V" 为 题 ， 在 线 发 表 于 《 科 学 》 （Science）子刊《科学·进展》（Science Advances）。 论文截图 逻辑器件和存储器件是构建集成电路的两大底层元器件。逻辑单元构成芯片的"运算与控制中枢"， 存储单元构成芯片的"数据仓库"，两者占集成电路市场规模的70%以上。在摩尔定律的驱动下，逻 辑晶体管通 ...