国产RRAM商用加速,破解存储缺芯困局
半导体芯闻·2026-03-02 18:50

文章核心观点 - 昇显微与维信诺合作完成世界首颗嵌入式RRAM AMOLED显示驱动芯片认证后,近期又推出Ramless+RRAM方案,这标志着RRAM技术步入大规模商用阶段,为AMOLED显示驱动芯片市场开辟了降本增效的全新突围之路 [2] - 睿科微电子提供的嵌入式RRAM技术是方案成功的关键,其技术优势包括极简工艺结构、超低功耗、强微缩性及存算一体潜力,使其成为后摩尔时代极具潜力的存储方案 [3][4][5][6] - 在存储短缺和供应链波动的背景下,采用嵌入式RRAM的“去外置化”方案是保障供应链安全、降低系统总成本的最优解,国产RRAM技术正定义下一代非易失性存储的行业基准 [2][3][7] 行业背景与挑战 - AMOLED显示驱动芯片因工艺兼容性问题,无法在28nm及更先进逻辑制程中嵌入传统Flash存储,行业长期采用“外置NOR Flash”方案 [2] - 外置Flash方案推高了封装成本,挤压终端厂商利润,且其较高读写延迟拖累产线效率 [2] - 全球存储供应链波动导致的存储器短缺,进一步造成成本上涨和供应不稳定,制约了显示驱动芯片的交付 [2] 昇显微Ramless+RRAM方案的优势 - 成本大幅降低:省去了外置Flash芯片及其封装成本,同时精简了PCB板空间 [3] - 效率显著提升:嵌入式架构消除了外置读取延迟,补偿参数读取速度极快,系统响应更敏捷 [3] - 功耗更低:RRAM具备低电压、低功耗特性,有助于延长终端设备续航 [3] 睿科微RRAM技术的核心优势 - 极简的工艺结构与低成本:RRAM结构精简,在28nm及更先进逻辑工艺中仅需增加2片掩膜,而传统eFlash通常需要10片以上,这带来了更短的生产周期和更低的晶圆制造成本 [3] - 出色的能效与超低功耗:RRAM为电压驱动型存储,写入电压远低于Flash,其数据擦写功耗仅为同类技术的几十分之一甚至百分之一,适用于可穿戴设备等对功耗敏感的场景 [4] - 强大的微缩潜力:传统存储技术在28nm以下制程面临物理限制,而RRAM具有天然微缩潜力,在10nm甚至更小尺寸下仍能保持稳定性能 [5] - 天然的存算一体基因与AI潜力:RRAM的电阻值可实现连续多级变化,使其不仅能存储数据,还能在存储单元内直接完成矩阵乘加运算 [6] 睿科微电子的公司实力与市场前景 - 公司成立于2018年,是一家专注于新一代非易失性存储器芯片及AI存储解决方案的国家高新技术企业 [7] - 已在全球布局超过300项存储器技术专利,覆盖主要半导体市场和制造地区 [7] - 已为多家半导体设计公司提供一站式RRAM技术支持,并基于55/40/28/22nm CMOS工艺平台建立了嵌入式RRAM量产技术体系,累计出货量已突破10,000片 [7] - 随着AI算力下沉到端侧,小体积、低功耗、高性能的存储需求将爆炸式增长,RRAM技术在显示驱动芯片的成功应用仅是开始,未来将延伸至超低功耗MCU及存算一体芯片等领域 [7]