公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在半导体行业的大部分发展历程中，污染问题都被视为颗粒物问题。良率损失可以追溯到异物落在不 该落的地方，而工艺控制的重点在于过滤、清洗和分类。 只要颗粒尺寸能控制在临界阈值以下，污染问题就可以通过更严格的洁净室标准以及材料和工艺卫生 方面的逐步改进来规避。但在先进节点上，污染变得更加隐蔽，也更难隔离。 良率损失越来越主要由界面、残留物和遗留的工艺状态引起，而这些因素很少会以可见缺陷的形式出 现。在许多情况下，污染问题的最初迹象是电学或统计上的，而非光学上的。器件通过了检验，但随 后却出现了无法解释的变异性。工艺看似稳定，直到微小的增量变化累积起来，最终导致可测量的良 率损失。 "在10纳米时代，尺寸偏差尚可接受的程度，在埃级时代就行不通了，" Lam Research全球产品集团 高级副总裁Sesha Varadarajan在最近的一次会议上表示。"即使人们已经理解了光刻技术扩展的核心 原理，但整个生态系统仍需转型，才能从缺陷率和保真度的角度满足新的要求。" 当特征尺寸接近原子尺度时，即使是痕量的残留材料或化学物质也会以不可容忍的方式改变表面行 为。清洁不再是一个 ...