文章核心观点 - 瑞银大幅上调存储芯片价格预测，认为由AI驱动的存储需求旺盛，而供给扩张受限，导致供不应求的局面将持续至2027年甚至更久，存储行业正处在一个强劲且可能延长的上行周期中 [2][3][4][7] 存储价格预测 - 瑞银于3月2日进一步上调存储合约价格预测 [2] - 预计2026年第一季度DDR合约价格环比上涨72%（此前预测+62%），服务器DDR5价格已达1.0美元/Gb；NAND合约价格环比上涨65%（此前预测+40%）[2] - 预计2026年第二季度DDR合约价格环比再涨40%（此前预测+15%），服务器DDR5价格将逼近1.3–1.5美元/Gb；NAND合约价格环比上涨30%（此前预测+15%）[2] 供需格局与周期展望 - 瑞银认为直至2027年，存储市场供给仍将显著落后于需求 [3] - DRAM供不应求的局面预计将持续至2027年第四季度，部分业内人士认为可能延续至2028年及以后 [3] - 瑞银将NAND本轮周期高点从2027年第一季度延后至2027年第二季度，行业整体判断比瑞银更为乐观 [4] - 根据瑞银预测数据，2026年行业营收预计达2023亿美元，同比增长206.3%；2027年预计达2663亿美元，同比增长31.7% [4] - 2026年NAND平均销售价格（ASP）预计为0.17美元/GB，同比增长158.1% [4] HBM（高带宽内存）需求 - 瑞银再度上调HBM需求预测，2026年终端消耗量预测至311亿Gb（此前为309亿Gb），同比增长80% [5] - 2027年HBM需求预测上调至539亿Gb（此前为486亿Gb），同比增长73%，主要源于AI GPU采购量预测上修 [5] - 考虑到供应链滞后，2027年HBM出货基数将超过600亿Gb [5] - 瑞银将2027年HBM比特出货量预测从527亿Gb上调至583亿Gb，主要因上调三星2027年HBM出货量预测从150亿Gb至200亿Gb [5] - 上调原因包括三星HBM执行能力提升、客户合作深化，以及其平泽P4厂1c nm DRAM产能爬坡速度快于预期 [5][6] - 预计到2027年，HBM市场份额为：SK海力士45%，三星34%，美光20% [6] 产能扩张限制 - 瑞银判断供不应求周期将延长的核心在于存储厂商每年实际可实现的晶圆产能扩张存在天然限制，受制于晶圆厂空间、设备交期拉长及人力等因素 [7] - 测算三星DRAM晶圆产能每年合理扩张节奏为8万片/月（12英寸等效），极限约10万片/月；SK海力士合理节奏为6.5万片/月，极限约8.5万片/月 [7] - 尽管已包含产能爬坡提速预期，瑞银仍将SK海力士2026年资本开支预测上调至41万亿韩元（此前38万亿韩元），2027年上调至47万亿韩元（此前43万亿韩元）[7] - 受NAND技术迁移的厂区空间限制，瑞银将三星2026年NAND资本开支预测下调至7万亿韩元（同比持平）[7] - 三星与SK海力士可能要到2028年底才会新增NAND晶圆产能，在此之前资源将优先投向DRAM，部分产线考虑从NAND转向DRAM改造 [7]