资本支出规划与投资规模 - 2026年资本支出预计约为40万亿韩元，较去年的28万亿韩元大幅增长 [1] - 资本支出中超过一半将用于设备购置，其余用于基础设施建设 [1] - 到2026年，公司资本支出原则将维持在营收30%左右的水平，鉴于全年营收预计约200万亿韩元，该上限对应约70万亿韩元，但实际支出预计将低于该数字 [1] 设备投资详情 - 今年仅在设备方面的投资估计将达到约20万亿韩元 [1] - 计划今年增购约10台极紫外（EUV）光刻设备 [2] - 为加快EUV设备交付，公司向ASML支付了溢价，费用比标准单价高出15-20% [3] - 单台EUV设备成本约为3000亿韩元，溢价导致每台设备额外成本高达600亿韩元 [3] - 预计今年将订购约60台用于HBM4生产的TC键合机 [2] 产能扩张与工艺升级 - 今年将把超过一半的DRAM产能用于1c节点生产 [2] - 预计到年底，1c DRAM的月产能将达到约19万片晶圆 [2] - 利川M14工厂的改造投资将覆盖每月约13.5万片晶圆的产能 [2] - 计划今年将321层第九代NAND闪存产品的产能占比提高一半以上 [2] - NAND闪存生产线从利川M14工厂迁移至清州M15工厂的全面迁移预计于2027年第二季度完成 [2] 基础设施建设项目 - 龙仁半导体集群一期工程总投资将达约31万亿韩元，包括新承诺的约21万亿韩元和此前承诺的9.4万亿韩元 [1] - 部分基础设施支出将用于扩建清州M15X工厂的新洁净室 [1] 财务状况与资金支持 - 截至2025年底，公司现金及现金等价物为34.9422万亿韩元，较上年的14.1563万亿韩元增长146.8% [3] - 截至2025年底，公司总权益为120.6667万亿韩元，较上年的73.9157万亿韩元增长63.3%，保持净现金头寸 [3] - 市场普遍认为公司拥有充足的资金来维持其高水平的投资步伐 [4]