全球存储芯片市场表现 - 2025年3月10日，韩国股市存储芯片巨头SK海力士盘中涨幅一度超过13%，三星电子涨幅一度超过10% [1][2] - 同日，A股存储芯片概念股集体拉升，板块指数涨幅超过2%，联瑞新材涨超17%，铂科新材、科翔股份涨超10% [1][2] 1. 隔夜美股存储概念股也集体大涨，闪迪涨超11%，西部数据涨近7%，美光科技涨超5% [2] 行业核心利好消息 - SK海力士和三星电子被选为英伟达新一代AI加速器Vera Rubin的HBM4供应商，预计最快本月启动生产 [1][2] - SK海力士已开发出基于第六代10纳米工艺的16Gb LPDDR6 DRAM，专为AI移动设备定制，计划2025年下半年开始供应 [1][3][4] - 英伟达CEO黄仁勋公开喊话DRAM厂商尽管扩产，称“有多少就买多少” [1][8] HBM市场竞争格局与技术进展 - 根据TrendForce预测，SK海力士在2026年英伟达HBM总供应中份额预计为50%，三星电子份额从20%攀升至28% [3] - 英伟达要求Vera Rubin所用HBM4的数据传输速率超过10Gb/s，三星电子已通过10Gb/s和11Gb/s级别认证，SK海力士仍在优化11Gb/s产品 [3] - SK海力士新款LPDDR6 DRAM与上一代产品相比，数据处理速度提升了33% [5] NAND闪存市场供需与价格趋势 - 三星电子计划在2026年第二季度再次上调核心NAND产品价格，上调幅度预计与2025年第一季度持平 [7] - 三星电子已在2025年第一季度将NAND闪存产品价格较上一季度上调约100%，若第二季度延续，价格较2024年底将累计上涨约200% [7] - 2025年2月，NAND通用产品128Gb MLC闪存颗粒平均固定交易价格涨至12.67美元，环比上涨33.9%，同比涨幅高达452.3% [7] - 价格上涨主要受AI数据中心需求增长，以及三星、SK海力士等厂商将产能转向HBM等高附加值产品导致供应收紧共同推动 [7][8]