国内12英寸SiC再获突破!
DT新材料·2026-03-11 00:12

公司技术突破 - 科友半导体在12英寸碳化硅晶片加工领域实现导电型与半绝缘型双突破,并成功打通从晶体生长到晶片加工的大尺寸全链条核心技术[2] - 突破集中在加工环节的四个关键技术:设备兼容性优化实现8英寸向12英寸“零改装”升级、开发大直径薄壁游星轮结构、改进非标准渐开线齿形设计、引入数字孪生仿真平台[4] - 12英寸碳化硅晶片产品性能指标达到:总厚度偏差≤1.0μm、局部平坦度≤0.5μm、表面粗糙度≤0.2nm[4] 公司发展历程 - 2025年9月,公司依托自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场技术,成功制备出12英寸碳化硅晶锭[4] - 2025年10月中旬,公司宣布成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶[4] 行业意义与影响 - 12英寸碳化硅晶片因单晶圆芯片产出量更大、单位成本更低,是全球第三代半导体向高效低成本发展的重要方向[5] - 公司的全链突破打破了国外在大尺寸碳化硅加工领域的技术壁垒[5] - 技术突破有望加速新能源汽车、5G通信、智能电网等领域对高性能碳化硅器件的规模化应用[5] 行业活动信息 - “FINE 2026未来产业新材料博览会”将于2026年6月10日至12日在上海新国际博览中心举行[9][11] - 博览会涵盖“第三代/第四代/前沿半导体材料与器件”等关键领域[11]

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