文章核心观点 - 三星电子与SK海力士在下一代HBM（高带宽内存）逻辑晶圆工艺开发上采取了截然不同的技术路线：三星电子以性能为最优先，积极采用超微缩工艺；SK海力士则基本采取侧重成本优化的战略 [1] 三星电子的技术路线与规划 - 逻辑晶圆负责HBM的控制芯片功能，位于DRAM堆叠的核心晶圆下方，通过物理层连接HBM与GPU，其重要性随HBM世代演进而持续提升 [2] - 三星电子是当前最积极采用先进工艺制造逻辑晶圆的企业，早在2023年就将HBM4逻辑晶圆工艺从原定8纳米上调至4纳米 [2] - 为迎接从HBM4E开启的定制化HBM时代，三星正将逻辑晶圆设计推进到最高2纳米，这是自去年下半年开始量产的最尖端晶圆代工工艺 [2] - 三星内部认为，逻辑晶圆工艺升级是解决客户对下一代HBM产品同时实现更低功耗和更高带宽需求的根本方案，相关研发将在今年拿出具体成果 [2] SK海力士的技术路线与战略 - SK海力士通过台积电生产逻辑晶圆，其HBM4采用12纳米工艺，并计划在HBM4E上采用最高3纳米工艺（原计划最高4纳米，近期因客户需求与性能提升而上调） [3] - 对于客户需求不高的HBM4E产品，SK海力士仍计划沿用与现有HBM4相同的12纳米工艺，尽管外界指出其HBM4逻辑晶圆性能落后于主要竞争对手 [3] - SK海力士不追求逻辑晶圆性能的无条件提升，而是优先成本优化，对HBM4E逻辑晶圆工艺升级持相对保守态度 [3] - 公司判断以现有逻辑晶圆工艺完全足以应对HBM4E，认为逻辑晶圆工艺激进升级的性价比不高，转而希望通过新型封装技术等其他领域实现技术突破 [3]