文章核心观点 - 三星电子与SK海力士在下一代高带宽内存（HBM4）市场展开激烈竞争，这场竞争不仅关乎两家公司的全球内存领导地位，也关乎韩国经济的未来，并将影响整个AI基础设施供应链 [2] - 两家公司在HBM4逻辑芯片的工艺策略上呈现明显差异：三星电子以性能优先，积极采用超精细工艺；SK海力士则更侧重于成本效益与优化 [2][3] HBM4竞争的战略意义 - HBM4已成为人工智能时代的核心基础设施，其市场格局将显著影响两家公司对AI未来的愿景 [2] - 竞争的影响范围不仅限于下一代内存技术，还包括整个相关的供应链 [2] 三星电子的HBM4技术策略 - 公司致力于推进逻辑芯片工艺，并着手设计采用2纳米工艺的逻辑芯片 [2][3] - 此前计划在2023年左右将HBM4的逻辑芯片工艺从8纳米升级到4纳米 [3] - 正在为定制化HBM时代做准备，HBM4E将标志着这一时代的开启 [3] - 认为解决客户对更低功耗和更高带宽需求的根本方法是推进逻辑芯片工艺，预计今年将看到具体研发成果 [3] SK海力士的HBM4技术策略 - 战略主要侧重于成本效益与优化，而非一味追求性能提升 [2][3] - HBM4逻辑芯片采用12纳米工艺，并通过台湾的台积电进行量产 [4] - 对于HBM4E，最初计划采用4纳米工艺，但据报道近期已向上调整为3纳米工艺以满足客户需求并提升性能 [5] - 然而，HBM4E产品并未显著反映客户需求，因此计划沿用现有HBM4的12纳米工艺 [5] - 公司认为其目前的逻辑芯片工艺足以应对HBM4E，若意识到严重性能问题才会改进工艺 [5] - 与竞争对手不同，公司认为快速改进逻辑芯片工艺并无益处，战略是专注于其他领域的技术进步，例如新的封装方法 [5] 逻辑芯片在HBM中的重要性 - 随着HBM技术演进，由于单引脚处理速度的提升和DRAM堆栈数量的增加，逻辑芯片的性能要求也必须随之提高 [3] - 因此，从HBM4开始，两家公司正将逻辑芯片的生产从现有的DRAM工艺转移到更先进的代工工艺 [3]