天成半导体碳化硅单晶材料技术突破 - 公司依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米 [1] - 公司在2025年已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺 [3] - 12英寸N型碳化硅单晶材料的晶体有效厚度突破35毫米 [3] 12英寸碳化硅技术的应用与市场影响 - 12英寸碳化硅技术将提升公司在新能源汽车等终端市场的竞争力，满足下游市场对“降本增效”的需求 [5] - AR眼镜（光波导）和AI芯片先进封装（中介层）等领域对12英寸碳化硅技术的需求日益凸显 [5] 14英寸碳化硅材料的应用与产业意义 - 14英寸碳化硅单晶材料主要应用于碳化硅部件，即以碳化硅及其复合材料为主的设备零部件 [7] - 碳化硅部件具备密度高、热传导率高、弯曲强度大、弹性模数大等特性，能适应晶圆制造中强腐蚀、超高温的恶劣环境 [7] - 碳化硅部件被广泛应用于等离子体刻蚀、外延生长、快速热处理、薄膜沉积、氧化/扩散、离子注入等主要半导体制造环节的设备中 [7] - 目前碳化硅部件市场几乎由韩国、日本、欧洲等供应商垄断 [7] - 公司实现14英寸突破，标志着国内企业在碳化硅大尺寸技术赛道取得关键性突破，为全球碳化硅半导体产业格局增添新变量 [7]