HBM 4,正式量产
半导体行业观察·2026-03-17 10:27

美光科技产品发布与量产进展 - 公司宣布专为英伟达Vera Rubin GPU平台设计的36GB 12-Hi HBM4显存已实现量产 [2] - 公司同时宣布业界首款PCIe 6.0数据中心SSD和全新SOCAMM2模块量产,成为首家同时为Vera Rubin生态系统提供这三款量产产品的内存供应商 [2] - 该HBM4显存引脚速度超过11 Gb/s,带宽超过2.8 TB/s,与公司自身同配置的HBM3E相比,带宽提高2.3倍,能效提升20%以上 [2] - 公司已向客户交付48GB 16H HBM4芯片堆叠样品,与36GB 12H产品相比,单颗HBM容量提升33% [2] - 公司此前宣布的9650 SSD(PCIe 6.0)已进入量产,支持高达28 GB/s的顺序读取速度和550万随机读取IOPS,读取性能比PCIe 5.0提升一倍,每瓦性能提升100% [3] - 公司192GB SOCAMM2内存模块专为英伟达Vera Rubin NVL72系统和独立Vera CPU平台设计,其SOCAMM2产品组合容量涵盖48GB至256GB [3] 三星电子与SK海力士技术展示 - 三星电子在GTC 2026首次公开其新一代HBM芯片HBM4E,为第七代HBM,计划支持每引脚16Gbps的传输速度和4.0TB/s的带宽 [4][5] - 三星展示了用于英伟达Vera Rubin平台的内存和存储设备,集成了包括SOCAM2内存模块和PM1763存储设备在内的多种产品,强调其提供“整体解决方案”的能力 [5] - SK海力士在GTC 2026以“聚焦AI内存”为主题展出产品,包括已搭载于英伟达GPU的HBM4和HBM3E内存、采用其LPDDR5X内存的英伟达AI超级计算机“DGX Spark”,以及与英伟达合作开发的液冷eSSD固态硬盘 [5] - SK海力士高管出席GTC 2026,计划与全球大型科技公司会面,探讨人工智能技术合作 [6] 行业技术发展与竞争格局 - 下一代人工智能平台(如英伟达Vera Rubin)的发展由整个生态系统通过联合工程创新推动,计算与内存的协同扩展至关重要 [2] - 内存和存储产品被视为释放下一代人工智能全部潜能的核心基础 [2] - 高带宽内存(HBM)、服务器内存和存储是人工智能基础设施的关键组件,主要内存供应商均在此领域展开竞争 [4] - 行业技术迭代加速,公司正基于HBM4量产积累的技术优势,加速开发下一代HBM4E产品 [4][5]

HBM 4,正式量产 - Reportify