如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 韩 国 研 究 人 员 利 用 一 种 新 型 材 料 开 发 出 一 种 技 术 ， 有 望 克 服 NAND 闪 存 的 局 限 性 。 据 E-Patent News报道，由韩国科学技术院（KAIST）电气工程学院赵炳镇教授领导的研究团队开发出一种新 技术，可以解决这些局限性。该技术通过在半导体中应用"智能栅极"概念，实现了数据处理速度和 存储稳定性的同步提升。 具体来说，该研究团队开发了一种非对称隧道层技术，利用新型材料氮氧化硼（BON）选择性地 控制电子运动。正如报告指出，该方法因从根本上解决与3D V-NAND结构尺寸缩小和堆叠相关的 性能下降和可靠性问题而备受关注。 正如报告所述，NAND闪存是一种非易失性存储器，即使断电也能保留数据。然而，随着存储单元 尺寸不断缩小，堆叠结构日益复杂，其固有的局限性也随之出现，例如擦除速度变慢和数据泄漏增 加。这些挑战在下一代五层单元（PLC）技术中更加突出，因为PLC每个单元存储5位数据，这使 得同时实现高容量和高可靠性成为最具挑战性的技术难题之一。 研究团队通过在隧道层中掺入BON材料来解决这个问题，以替代传统的硅 ...