文章核心观点 - 全球AI投资热潮加剧存储芯片短缺 三星电子与SK海力士正对其中国工厂进行大规模设施投资 以升级工艺和扩大产能 满足激增的市场需求[1][2] 投资规模与增长 - 三星电子2023年向其西安NAND工厂投资4654亿韩元（约3.44亿美元） 较2022年的2778亿韩元增长67.5%[1] - SK海力士2023年对其中国工厂投资超1万亿韩元 其中无锡DRAM工厂投资5810亿韩元 较2022年的2873亿韩元增长102% 大连NAND工厂投资4406亿韩元 增长52%[2] - 三星电子在2019年投资约6984亿韩元后 2020至2023年间未进行重大投资 现已恢复投资并加大力度[1] - 这是SK海力士自2022年收购英特尔大连工厂以来 首次在中国进行万亿韩元规模的投资[2] 投资背景与市场驱动 - 投资背景是源源不断的存储芯片订单 目前DRAM和NAND闪存全年产能已售罄[2] - AI服务向需要更多推理和学习的“智能体”形式发展 推动对高性能DRAM和超高性能内存的需求激增[2] - 瑞银证券预测全球半导体市场规模将较去年增长超40% 达到1万亿美元（约1496万亿韩元）[2] - 中国国内因AI基础设施投资需求强劲 2023年中国存储芯片市场规模约4580亿元人民币（约99万亿韩元） 预计今年将进一步扩大[2] - 仅靠国内产能无法满足全球需求 公司需通过升级关键海外生产基地来扩大供应[3] 技术升级与产能布局 - 三星电子计划通过追加投资 将西安工厂主要NAND生产工艺从128层（第六代）升级到236层（第八代）[3] - 为防止核心技术外泄 海外工厂与国内工厂通常保持约两代工艺差距 三星计划今年在韩国生产400层（第十代）NAND 中国工厂向第八代过渡可能加快[3] - SK海力士投资升级无锡工厂DRAM工艺 从10纳米级第三代（1z）升级到第四代（1a）工艺 升级后将能量产高附加值产品如DDR5内存[3] - 无锡工厂占SK海力士DRAM总产量30%以上 已转型为高附加值产品生产基地[3] - 大连工厂预计也将通过加大投资改善财务结构和生产效率[3] 工厂战略地位 - 三星西安工厂是其唯一的海外NAND闪存生产基地 产量约占其总产量的40%[1] - SK海力士无锡工厂是其关键的DRAM生产基地[3]