文章核心观点 - AI时代存储需求爆发 正将行业景气度传递至上游半导体设备环节 存储技术的3D化演进推动刻蚀、薄膜沉积等关键设备的需求量和工艺要求同步提升 [4][5][10] 存储巨头投资带动上游设备商 - SK海力士签署价值815.6亿韩元的半导体设备供应合同 合作对象为韩国唯一刻蚀设备供应商VM公司 该合同价值相当于VM公司2024全年合并营收的116% [4] - VM公司今年来自SK海力士等存储厂商的相关订单累计已达2246亿韩元 超过市场对其全年2200亿至2300亿韩元的收入预测 公司高管认为2026年营收将创历史新高 [4] - 美国半导体设备龙头Lam Research首席财务官表示 自3D NAND技术推出后 公司营收翻了一番 预计DRAM也将带来类似的营收增长机会 [4] 存储技术演进驱动设备需求 - AI算力需求爆发背景下 HBM带动DRAM高阶制程升级 3D NAND向400层以上堆叠演进 使得单万片产能投资额同步提升 [5] - 随着3D NAND堆叠层数增加 刻蚀设备用量占比将不断攀升 3D NAND要求刻蚀技术实现更高的深宽比 DRAM未来也有望向3D堆叠方向发展 有望进一步推动刻蚀和薄膜沉积设备需求 [5][10] - Lam Research预测 今年前道设备市场将增长23% 公司正在扩大包括马来西亚工厂在内的多家工厂产能以满足客户需求 [6] 设备工艺升级与行业趋势 - 随着HBM封装堆叠高度增加 业界考虑放宽封装规格 联合电子器件工程委员会正考虑将HBM封装高度标准从目前的约775微米提高到900微米 [7] - 韩美半导体推出新一代HBM生产设备“宽尺寸TC键合机” 该设备能随HBM芯片面积扩大稳定增加TSV和I/O数量 通过增加微凸点数量确保内存容量和带宽并提高能效 [7][8] - 北方华创与中微公司分别发布新一代刻蚀设备 均提到全球算力与存储芯片需求爆发带动市场增长 设备聚焦满足先进逻辑与存储领域更严苛的工艺要求 [9][10] - 中信证券预计 考虑到存储上行周期及下游逻辑需求 2026年全球半导体晶圆制造设备市场规模将维持高个位数百分比同比增长 且存储占比有望进一步提升 [10] - 东吴证券指出 存储端高层数3D堆叠对高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀及原子级沉积技术提出更高要求 刻蚀与薄膜沉积在前道设备中价值占比位居前三且随制程演进呈提升趋势 设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应 [10]