铠侠停产计划 - 公司计划停止生产其2D NAND和第三代BiCS 3D NAND闪存，并将终结平面NAND闪存的生产 [2] - 停产遵循标准的多年期EOL（产品生命周期结束）计划：最后购买订单接受至2026年9月30日，最终出货持续至2028年12月31日，此后这些产品将彻底停产 [4] 停产产品范围与技术细节 - 停产产品涵盖一系列传统NAND，包括基于32nm（SLC，自2009年量产）、24nm（MLC，自2010年量产）和15nm（MLC和TLC，自2014年量产） 工艺节点的平面浮栅NAND，以及早期64层BiCS3 3D NAND（约2017年发布） [4] - 停产涵盖所有主要单元类型——SLC、MLC和TLC，并几乎涵盖所有交付形式，包括裸晶圆和封装解决方案（例如BGA、TSOP、eMMC、UFS和SD卡），表明公司将全面淘汰旧技术平台 [4] 行业历史与影响 - 平面NAND闪存是3D NAND闪存的前身，自20世纪80年代以来一直在生产 [4] - 铠侠停止生产2D NAND将标志着平面NAND存储器的终结，该类型存储器最早于1987年左右在东芝投入生产，并将于41年后的2028年由其继任者铠侠停止生产 [4] - 如今，2D NAND主要用于传统设备，包括汽车、消费电子、嵌入式和工业应用，以及一些具有较长生命周期的专用存储设备 [5] 公司技术战略转向 - 此次停产标志着公司退出传统的平面NAND和早期BiCS工艺，转而投身更先进的3D NAND工艺 [4]