文章核心观点 - DRAM和NAND闪存价格因AI投资热潮及HBM技术特性导致供需严重失衡而大幅上涨，且当前价格尚未触及理论天花板，若需求持续，价格可能进一步上涨 [1][3][9] - 存储芯片属于大宗商品，其价格在短缺与过剩之间循环波动，当前市场正处于由AI驱动的短缺周期 [1][2] - HBM（高带宽内存）的单位晶圆产出容量远低于标准DDR DRAM，加剧了DRAM的供应短缺，使得价格上涨压力比仅使用标准DDR时更为严峻 [8] 内存价格现状与驱动因素 - DRAM现货市场价格已上涨至去年9月水平的四倍以上，NAND闪存现货价格接近去年9月的七倍，合约价格也已上涨至2025年水平的两倍以上 [3] - 价格上涨的主要驱动力是异常强劲的AI投资，以及HBM在每片DRAM晶圆上的单位容量较低 [1] - 六大超大规模厂商的季度资本支出总和从2024年第三季度的700亿美元，增长至2025年第四季度的接近1300亿美元，几乎翻倍，新增支出几乎全部流向使用HBM的AI系统 [8] 存储芯片的大宗商品属性与周期 - 存储芯片（DRAM和NAND）属于大宗商品，其特点是具有多个供应商提供令人满意的替代品，价格是买方选择供应商的主要因素 [1] - 存储芯片之间引脚兼容，OEM可以轻易在不同供应商间切换，这导致价格在短缺时上涨、过剩时下跌，波动极其剧烈 [2] - 市场在短缺与过剩之间不断循环，形成“大宗商品周期”，供需失衡因决策到产量变化的滞后性而被延长 [2] 价格涨跌的理论边界 - 内存价格上涨的理论上限是价格高到足以扼杀终端产品（如手机、PC、服务器）市场，但目前尚未达到此临界点，因为存储芯片在整机成本中占比有限 [4] - 价格下跌的下限是芯片的生产成本，因为低于成本销售可能引发贸易制裁 [4] - 基于当前机制，价格似乎没有上涨上限，市场机制将在某个临界点发挥作用 [3][4] HBM技术对供需的冲击 - HBM采用特殊芯片设计，使得每片晶圆的产出容量仅为标准DDR DRAM的三分之一 [8] - 即使没有AI投资热潮，若DRAM市场在短时间内从0% HBM转向10% HBM，供应也难以跟上需求 [8] - AI系统主要使用HBM，将大量DRAM紧贴处理器以实现高带宽和低延迟，这比仅使用标准DDR导致了更为严重的供需短缺 [8] 未来供需与价格展望 - 尽管DRAM厂商正在快速扩产，但远不足以在短期内恢复供需平衡 [9] - 如果AI需求持续高热，内存价格仍有可能进一步上涨 [9]