如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ SK海力士宣布，将应用于高带宽存储器（HBM）的混合键合良率已有所改善。与使用凸块的方法 不同，或与竖立铜（Cu）柱并在顶部放置凸块的方法不同，混合键合指的是将Cu与Cu焊盘直接接 触的终极演进封装技术。 SK海力士技术负责人（TL）金钟勋于28日在首尔江南区浦项塔驿三举办的"超越HBM——先进封 装核心技术：从下一代基板到模块"会议上表示，"12层HBM通过混合键合堆叠的验证已完成。"他 补充道，"我们目前正努力将良率提升到适合大规模生产应用的水平。我们无法披露具体的良率数 据，但准备工作比过去推进得更远。" 由于混合键合可以在无需凸块的情况下连接芯片，因此它可以减少发热，同时显著提高数据传输速 度。通过将Cu焊盘直接接触，还能将堆叠芯片高度与使用凸块或Cu柱凸块的设计相比大幅降低。 业界预计混合键合将从HBM4开始采用。随着16层产品的商业化，从今年下半年或明年开始逐步 部署。TL金解释道，"HCB是一种能够在更窄间距下实现键合的技术。" 然而，以当前技术水平应用混合键合需要解决经济性挑战。迄今为止最大限度利用Mass Reflow- Molded Underfi ...