三星电子8纳米eMRAM技术进展 - 公司正利用其eMRAM技术加强与全球汽车制造商的代工合作，该技术是一种适用于自动驾驶和电动汽车的高性能、低功耗专用存储器[1] - 公司致力于进军汽车半导体市场，并采用其旗舰级8纳米工艺实现eMRAM[1] - 根据在ISSCC 2026上发布的资料，公司即将实现其下一代汽车半导体解决方案“8nm eMRAM”的量产[1] - 公司通过实际测量数据验证了该产品在0.6V超低电压环境下的运行性能，正式确认其技术已达到商业化成熟水平[1] 8纳米eMRAM技术规格与性能优势 - 该产品在0.6V超低电压环境下的读取速度高达125MHz[2][4] - 与上一代14纳米工艺相比，8纳米eMRAM的芯片密度提高了30%，数据读取速度提高了33%[4] - 8纳米eMRAM的宏单元容量为128Mb，采用8纳米FinFET技术，工作电压为0.75V，输入/输出电压为1.8V[2] - 其耐久性达到1.00E+06次，数据保持能力在150摄氏度下可达20年[2] - 单元面积仅为0.0171平方微米，宏尺寸为6.42平方毫米[2] - 其性能指标FOM值为4146，显著高于前代工作的2712[2] - eMRAM具有非易失性特性，但其数据处理速度比NAND快1000倍[4] - 该技术能在-40°C至+150°C的极端环境下稳定运行且不丢失数据[4] - 通过8纳米工艺的微型化可以显著降低功耗，有助于延长电动汽车的续航里程[4] 公司技术路线图与市场合作 - 公司已将eMRAM视为其晶圆代工业务的未来增长引擎，并正按计划推进其发展[5] - 公司于2024年底完成了14纳米eMRAM工艺的研发，并基于此与现代汽车公司签订了供货合同[5] - 公司计划于2026年开始8纳米eMRAM的全面量产[5] - 公司还计划在2027年前将eMRAM的应用扩展到5纳米工艺，以扩大技术差距[5] - 行业观点认为，继获得特斯拉2纳米自动驾驶芯片订单后，公司通过与现代汽车在eMRAM领域合作，进一步强化了其汽车产品组合[6] - 8纳米eMRAM的研发表明了公司巩固其汽车领域参考数据的决心[6]