文章核心观点 - 美光科技正加速推进3D-NAND技术路线图，直接跨越一代以更快提供更大容量、更快速度和更高能效的芯片产品 [2] - 公司通过跳过G10代直接推进G11代技术，旨在巩固NAND领域领先地位并更好地服务未来AI产品需求 [2][5] - 美光在DRAM、HBM和NAND领域同步推进多代产品路线图，并采用晶圆对晶圆键合等先进封装技术实现差异化竞争 [2][5][10] 3D-NAND技术路线图 - 公司目前正在出货第九代G9闪存，拥有276层，首款采用该技术的2650客户端固态硬盘已于2024年7月发布 [2] - G11技术被定位为世界上最先进的NAND闪存技术，计划于明年下半年开始量产，将采用晶圆对晶圆键合技术，层数将达到400层以上 [5] - 与G9相比，G11的比特密度提高了一倍，I/O速度提高了1.5倍，传输一个比特所需的能量减少了25% [5] - 美光跳过了计划采用300多层结构的G10代（原计划2026年10月推出），直接从G9升级至G11 [11][12] - 行业认为跳过代际属于市场营销策略，是对三星推出V9、V10和V11代产品、SK海力士推出V9、V10和V11代产品以及闪迪/铠侠推出BiCS 9、10和11代产品的回应 [12] - 晶圆对晶圆键合是一种半导体3D集成技术，两个或多个完全加工的硅晶圆对齐并键合在一起形成完整晶圆，之后将键合后的堆叠切割成单个多芯片 [12] AI级NAND产品规划 - 公司规划两类AI级NAND闪存产品：高IOPS的AI级NAND闪存采用基于SLC的设计，以小模块形式实现，旨在打造超高速存储产品 [7] - 高IOPS固态硬盘的IOPS值将在2500万到1亿之间，下一代固态硬盘的容量可达512TB，将靠近加速器放置 [8] - 公司还在开发高带宽的AI级NAND闪存，通过硅通孔（TSV）将堆叠层连接到基片，类似于高带宽内存（HBM），放置在加速处理器（GPU）旁边 [5][7] - 高带宽NAND不会像HBM那样放置在加速器的海岸线上，而是放置在更靠近计算本身的位置，以利用高性能NAND [7] - 高带宽AI级NAND产品最终成本更高，需要与客户合作开发以确保达到预期目标并控制成本 [7] - 未来美光AI级NAND闪存将应用于AI PC和工作站、汽车、机器人、移动和可穿戴产品 [8] HBM路线图 - 美光HBM路线图涵盖HBM6，vHBM和vEIM将于2028年开始量产 [10] - HBM4 36GB 12层高位闪存已于2026年3月进入量产阶段，HBM4E目前正在向主要客户提供样品 [10] - 公司计划2027年实现HBM4E量产，2028年实现HBM5量产，2029年实现HBM5E量产，2030年实现HBM6量产 [10] - 公司发布了垂直堆叠式HBM（vHBM）技术，将DRAM堆栈直接置于处理器上方而非旁边，提供比传统HBM更高的带宽，但会阻碍处理器散热，预计vHBM将与传统HBM配合使用 [10] - 垂直边缘推理存储器（vEIM）将相同堆叠结构应用于边缘器件，将低功耗LPDDR置于逻辑芯片上方，第一代vEIM目标是在低于1 pJ/bit的功耗下实现2TB/s的带宽 [10] - 两条新产品线均计划于2028年实现量产，并在2030年前推出三代产品 [11] - 美光最初采用自主研发的CMOS工艺制造HBM4基础芯片，HBM4E因速度和功耗目标需要更先进CMOS工艺，公司开始转向代工厂生产的芯片 [11] - HBM4E是美光首次在提供符合JEDEC标准产品的同时也提供定制HBM产品，定制产品由美光与客户共同设计基础芯片，将客户逻辑IP与美光内存IP集成 [11]