如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 互补型场效应晶体管 (CFET：COMPLEMENTARY FET ) 器件架构有望在逻辑技术路线图 中取代环栅 (GAA) 纳米片晶体管。在 CFET 器件中，n 型和 p 型 MOS 晶体管堆叠在一 起，首次消除了标准单元高度中 n-p 间距的限制。因此，如果能与先进的晶体管接触和供电 技术相结合，CFET 器件架构有望大幅缩小逻辑标准单元尺寸。 在所有可能的集成流程中，单片CFET (mCFET：monolithic CFET) 被认为是干扰最小的，它能 以最快的速度将CFET引入到符合行业实际尺寸的器件中。采用单片集成，具有共用顶部和底部栅 极的垂直器件结构可以在一系列工艺步骤中完成图案化和加工。 垂直堆叠层带来了一些挑战，需要CFET专用模块来实现堆叠横截面关键部分的垂直隔离。例如， 中间介质隔离 (MDI) 模块可以提供顶部和底部栅极之间的隔离。这使得可以为顶部和底部器件设 置不同的阈值电压。 随着标准单元尺寸的缩小，单个 CFET 沟道的薄层宽度也随之减小，从而降低了有效驱动电流并 增加了寄生电容。因此，需要性能提升措施来平衡这些参数，并在不同节点上保持 ...