3D flash memory technology
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Kioxia Introduces QLC UFS 4.1 Embedded Flash Memory Devices for High-Capacity Mobile Storage
Businesswire· 2026-01-28 10:36
产品发布与技术规格 - 铠侠公司开始提供采用QLC技术的UFS 4.1嵌入式存储器样品 [1] - 新产品基于公司第八代BiCS FLASH 3D闪存技术,并集成了控制器 [1] - 产品采用4-bit-per-cell QLC技术,相比传统TLC UFS具有更高的位密度,适用于需要高存储容量的移动应用 [1] - 产品容量提供512GB和1TB两种选择 [1] - 产品封装尺寸从上一代QLC UFS的11×13 mm减小至9×13 mm [1] - 产品符合UFS 4.1规范,并向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1 [1] 性能提升 - 相比前一代产品,新款QLC UFS的顺序写入速度提升25%,随机读取速度提升90%,随机写入速度提升95% [1] - 写入放大因子最大改善3.5倍 [1] - 产品支持WriteBooster功能,以实现显著更快的写入速度 [1] 技术架构与创新 - 第八代BiCS FLASH 3D闪存引入了CMOS直接键合至阵列技术,标志着闪存设计的重大变革 [1] - 控制器技术和纠错技术的进步使得QLC技术在保持有竞争力性能的同时得以实现 [1] - UFS因其串行接口支持全双工,可实现主机处理器与UFS设备之间的并发读写 [1] 目标应用市场 - 产品专为读取密集型应用和高容量存储需求设计,非常适合智能手机和平板电脑 [1] - 产品也支持需要更高容量和性能的新兴产品类别,包括个人电脑、网络设备、增强现实/虚拟现实设备、物联网设备和人工智能设备 [1] 公司背景与行业地位 - 铠侠公司是全球存储器解决方案领域的领导者,致力于闪存和固态硬盘的开发、生产和销售 [1] - 公司的前身东芝存储器于2017年4月从东芝公司分拆出来,而东芝公司在1987年发明了NAND闪存 [1] - 铠侠公司被科睿唯安评为“2026年全球百强创新机构”,这是公司第五次获得该奖项 [1] - 公司的创新性3D闪存技术BiCS FLASH正在塑造高密度应用的存储未来,包括高端智能手机、个人电脑、汽车系统、数据中心和生成式人工智能系统 [1]
Kioxia Unveils the Next Generation KIOXIA BG7 Series SSDs for PC OEMs
Businesswire· 2026-01-06 10:36
产品发布与技术创新 - 铠侠公司发布了面向PC客户的BG7系列固态硬盘,这是首款采用其最新BiCS FLASH 3D闪存第八代及创新CMOS直接键合至阵列技术的客户端解决方案[1] - 新产品在随机读写性能上达到最高1,000,000 IOPS,顺序读取速度最高达7,000 MB/s,相比前代BG6系列,性能分别提升约10%和16%[2] - 通过采用CBA技术、高效控制电路和优化的SSD控制器,新产品的顺序写入能效提升了约67%[2] 产品特性与规格 - BG7系列增加了对NVMe 2.0规范的支持,为OEM厂商提供了更精细的控制能力[3] - 除了现有的M.2 2230和2280规格外,BG7系列新增了2242规格,以支持更广泛的安装条件[3] - 作为面向价值的无DRAM系列,BG7支持成熟的主机内存缓冲技术,利用部分主机内存来为客户节省成本[4] - 产品支持TCG Opal 2.01标准的自加密驱动器功能,并提供256GB、512GB、1024GB和2048GB四种容量选择[5] 市场推广与公司背景 - BG7系列将于2026年国际消费电子展首次亮相,并在2026年1月6日至8日于威尼斯人会议中心四层公司展厅展示,部分PC OEM客户已在评估样品[4] - 铠侠是全球存储解决方案领导者,专注于闪存和固态硬盘的开发、生产与销售,其前身东芝存储器于2017年4月从东芝公司分拆而来[5] - 公司的创新BiCS FLASH 3D闪存技术正在塑造高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统等高密度应用的存储未来[7]